产品参数:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SC70-3 |
Single-N |
60V |
|
1.7V |
4A |
|
|
75mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SC70-3 |
Single-N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SC70-3 |
Single-N |
60V |
|
1.7V |
4A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SC70-3 |
Single-N |
60V |
|
1.7V |
4A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| SC70-3 |
Single-N |
|
|
|
|
|
|
|
MCH3415-VB 详细参数说明
- **器件类型**:单N沟道MOSFET
- **封装**:SC70-3
- **漏源电压(VDS)**:60V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 86mΩ @ VGS=4.5V
- 75mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**:4A
- **技术**:Trench技术
- **栅电荷(Qg)**:低,适合高频开关应用
- **反向恢复时间(trr)**:短,适合快速开关应用
- **工作温度范围**:通常可达150°C
- **热阻**:低热阻,优化了散热性能
领域和模块应用:
MCH3415-VB 适用领域和模块
1. **电源管理系统**:由于其较低的导通电阻和高效的开关特性,MCH3415-VB非常适合用于各种**电源管理**系统中,如**DC-DC转换器**和**线性调节器**。在电源转换中,器件的高效率可显著降低能量损耗,提高整体能效,延长设备使用寿命。
2. **便携式设备**:该MOSFET在**智能手机**、**平板电脑**及其他**便携式电子设备**中表现出色,适用于**电池管理**和**开关电源**等应用。其小型化封装使其能适应空间受限的设计,并有效控制能耗,延长电池续航。
3. **电机驱动**:MCH3415-VB可以作为**电机驱动**电路中的开关元件,特别是在低电压小功率的电机驱动应用中。其快速开关能力和低功耗特性有助于提高电机的效率,降低发热,适合用于**玩具电机**和**小型风扇**等领域。
4. **LED驱动**:在**LED驱动器**中,该MOSFET可用于开关控制,提供稳定的电流以确保LED的亮度恒定。凭借其低RDS(ON)特性,MCH3415-VB能有效减少LED驱动过程中的功耗,从而延长LED的使用寿命。
综上所述,MCH3415-VB以其优异的性能、稳定性和小型化设计,成为现代电子产品中电源管理、开关控制及驱动应用的理想选择,广泛适用于多个领域,满足不同应用的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性