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MCH3412-VB 产品详细

产品简介:

一、MCH3412-VB 产品简介
MCH3412-VB 是一款高效能单N通道MOSFET,采用超小型的 SC70-3 封装设计,专为高密度电路应用而设计。该器件的漏源电压(VDS)为 20V,栅源电压(VGS)可达到 ±12V,具备良好的耐压特性。其阈值电压(Vth)在 0.5V 到 1.5V 之间,能够在较低的栅电压下迅速开启,适合快速切换的应用。导通电阻(RDS(ON))在 VGS 为 2.5V、4.5V 和 10V 的情况下分别为 48mΩ、40mΩ 和 36mΩ,显示出出色的低导通损耗。最大漏极电流(ID)为 4A,使得 MCH3412-VB 在电源管理和负载切换等领域具有广泛应用潜力。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SC70-3 Single-N 20V 0.5~1.5V 4A 48mΩ 36mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SC70-3 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SC70-3 Single-N 20V 0.5~1.5V 4A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SC70-3 Single-N 20V 0.5~1.5V 4A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SC70-3 Single-N
二、MCH3412-VB 详细参数说明
- **封装类型**:SC70-3
- **配置**:单N通道(Single-N-Channel)
- **漏源电压(VDS)**:20V
- **栅源电压(VGS)**:±12V
- **阈值电压(Vth)**:0.5V ~ 1.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- VGS=2.5V 时:48mΩ
- VGS=4.5V 时:40mΩ
- VGS=10V 时:36mΩ
- **最大漏极电流(ID)**:4A
- **技术类型**:Trench(沟槽技术)
- **工作温度范围**:-55°C ~ +150°C

领域和模块应用:

三、应用领域及模块举例
MCH3412-VB 由于其卓越的性能和多功能性,广泛应用于多个电子产品中,主要应用领域包括:

1. **智能手机和便携式设备**:在移动设备中,MCH3412-VB 可用作电源管理开关,有助于实现高效的电池使用和充电管理,增强设备的续航能力。

2. **小型电源转换器**:在开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和LED驱动电路中,该MOSFET 的低导通损耗使其成为理想的开关元件,能够提高整体转换效率。

3. **负载切换应用**:MCH3412-VB 适用于家电、LED照明和其他电子设备的负载切换电路,能够提供快速可靠的开关控制,改善用户体验。

4. **电机驱动和控制**:在小型电动机驱动应用中,MCH3412-VB 的快速开关特性和高电流处理能力使其非常适合用于玩具、电动工具和机器人等产品,实现精确的速度和方向控制。

凭借其优越的技术和设计,MCH3412-VB 能够为各种电子应用提供高效能解决方案,帮助工程师在设计中实现高性能与低功耗的目标。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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