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MCH3310-VB 产品详细

产品简介:

产品简介:MCH3310-VB MOSFET

MCH3310-VB是一款高效的单P沟道MOSFET,采用SC70-3封装,设计用于对空间有严格要求的电子产品。该器件的最大漏源电压(VDS)为-20V,最大栅源电压(VGS)为±12V,确保在多种应用场合下的稳定性和安全性。其开启电压(Vth)为-0.6V,使得MCH3310-VB在较低的电压下即可实现快速导通。MOSFET的导通电阻(RDS(ON))在不同的栅源电压下表现优异:在VGS=2.5V时为100mΩ,而在VGS=4.5V时为80mΩ,这为其在高效电源管理和开关应用中提供了极大的优势。MCH3310-VB的最大漏极电流(ID)为-3.1A,适用于多种电气应用场景。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SC70-3 Single-P -20V -0.6V -3.1A 100mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SC70-3 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SC70-3 Single-P -20V -0.6V -3.1A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SC70-3 Single-P -20V -0.6V -3.1A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SC70-3 Single-P
详细参数说明:

- **封装类型**:SC70-3
- **配置**:单P沟道
- **最大漏源电压(VDS)**:-20V
- **栅源电压(VGS)**:±12V
- **开启电压(Vth)**:-0.6V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 100mΩ @ VGS=2.5V
- 80mΩ @ VGS=4.5V
- **最大漏极电流(ID)**:-3.1A
- **技术类型**:Trench技术
- **功耗(Ptot)**:1W
- **工作温度范围**:-55°C ~ 150°C

领域和模块应用:

应用领域和模块示例:

1. **便携式消费电子设备**:
MCH3310-VB非常适合用于智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备。这种小巧的P沟道MOSFET能够有效控制电源,提供稳定的电压调节,提升设备的能效和续航能力。

2. **电源管理电路**:
在电源管理模块中,MCH3310-VB可作为负载开关,控制电源的开启与关闭。其低导通电阻在开关应用中可以有效减少功率损耗,提高系统的整体效率。

3. **电池管理系统**:
在锂离子电池的充电和保护电路中,MCH3310-VB可以用于监控和控制充电过程。其优异的开关性能和适中的电流承载能力,能够有效地保护电池并延长其使用寿命。

4. **LED驱动电路**:
MCH3310-VB也广泛应用于LED照明控制中,能够有效地调节LED的亮度及其开关状态,为LED灯具提供所需的稳定电源。这在家用照明和商业照明应用中尤为重要。

5. **负载开关应用**:
在负载开关设计中,MCH3310-VB可用于各类设备的电源开关,帮助控制和管理负载的电源供应。其出色的性能使其适合用于消费类电子产品、工业设备及其他需要快速开关的应用场合。

综上所述,MCH3310-VB MOSFET凭借其高效能、紧凑的封装以及广泛的应用范围,成为现代电子产品设计中不可或缺的重要元件,满足了市场对高性能和低功耗电子元件的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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