MC7335-VB - VBsemi MOS管制造商

MC7335-VB 产品详细

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产品简介：

一、MC7335-VB 产品简介
MC7335-VB 是一款高性能的单P沟道MOSFET，采用 SC70-3 封装，专为低电压应用而设计。该器件的漏源电压（VDS）为 -20V，栅源电压（VGS）可达 ±12V，具备较低的阈值电压（Vth），约为 -0.6V，适合在各种电源管理和开关应用中使用。其导通电阻（RDS(ON)）在 VGS=2.5V 时为 100mΩ，而在 VGS=4.5V 时降低到 80mΩ，提供优秀的导电性能，最大漏极电流（ID）为 -3.1A。MC7335-VB 的沟槽（Trench）技术不仅提高了效率，同时也降低了功耗，是理想的选择。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SC70-3	Single-P	-20V		-0.6V	-3.1A	100mΩ			Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SC70-3	Single-P						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SC70-3	Single-P	-20V		-0.6V	-3.1A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SC70-3	Single-P	-20V		-0.6V	-3.1A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
SC70-3	Single-P

二、MC7335-VB 详细参数说明
- **封装类型**：SC70-3
- **配置**：单P通道（Single-P-Channel）
- **漏源电压（VDS）**：-20V
- **栅源电压（VGS）**：±12V
- **阈值电压（Vth）**：-0.6V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- VGS=2.5V 时：100mΩ
- VGS=4.5V 时：80mΩ
- **最大漏极电流（ID）**：-3.1A
- **技术类型**：Trench（沟槽技术）
- **工作温度范围**：-55°C ~ +150°C

领域和模块应用：

三、应用领域及模块举例
MC7335-VB 作为一款高效、低压的P沟道MOSFET，适用于多种低电压领域：
1. **便携式设备的电源管理**：该MOSFET因其小型封装和低导通电阻，非常适合在手机、平板电脑及其他便携式设备中的电源管理模块中使用，能够有效提高电池使用寿命。
2. **负载开关**：在消费电子产品中，MC7335-VB 可用作负载开关，快速响应并控制负载的通断，尤其适用于低压负载的电源切换。
3. **电源分配和管理**：在电源分配系统中，MC7335-VB 能够在不同电源之间提供高效的切换，确保系统稳定性并减少能量损耗。
4. **小型直流电机驱动**：适合用于小功率直流电机驱动应用，比如在玩具、机器人等小型设备中，提供可靠的控制和开关功能。

凭借其小型化、高效能和低功耗特性，MC7335-VB 是众多低电压应用的理想选择，能够有效提升系统的整体性能和效率。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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