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MC7323-VB 产品详细

产品简介:

MC7323-VB MOSFET 产品简介

MC7323-VB 是一款高效能的单 P 沟道 MOSFET,采用小巧的 SC70-3 封装,非常适合对空间有严格要求的应用。其漏源电压 (VDS) 为 -20V,栅源电压 (VGS) 为 ±12V,能够处理高效低压开关应用。该 MOSFET 的阈值电压 (Vth) 为 -0.6V,允许其在低栅极驱动下实现导通。MC7323-VB 的导通电阻 (RDS(ON)) 在 VGS 为 2.5V 时为 100mΩ,VGS 为 4.5V 时降至 80mΩ,具有优异的低导通损耗特性。这款器件的最大连续漏极电流 (ID) 为 -3.1A,结合其先进的沟槽型 (Trench) 技术,使其在低压电源管理和负载开关中表现出色。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SC70-3 Single-P -20V -0.6V -3.1A 100mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SC70-3 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SC70-3 Single-P -20V -0.6V -3.1A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SC70-3 Single-P -20V -0.6V -3.1A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SC70-3 Single-P
详细参数说明

- **封装类型**:SC70-3(小型封装,适合空间紧凑应用)
- **配置**:单 P 沟道
- **VDS(漏源电压)**:-20V
- **VGS(栅源电压)**:±12V
- **Vth(阈值电压)**:-0.6V
- **RDS(ON) @ VGS = 2.5V**:100mΩ
- **RDS(ON) @ VGS = 4.5V**:80mΩ
- **ID(连续漏极电流)**:-3.1A
- **技术**:沟槽型 (Trench)
- **工作温度范围**:支持宽范围温度操作,提供可靠的热性能和长期稳定性。

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领域和模块应用:

应用领域与模块

1. **便携式电子设备**:MC7323-VB 适合智能手机、平板电脑和可穿戴设备等便携式电子产品。其小尺寸封装和低导通电阻有助于提高这些设备的能效和续航能力。

2. **电源管理系统**:在电源管理和 DC-DC 转换应用中,该 MOSFET 可以有效作为开关器件,优化电源转换效率,适用于手机充电器、便携电池设备等低压电源管理应用。

3. **负载开关**:该器件可以作为负载开关应用中的核心元件,确保电流切换的高效性和稳定性。其适合家用电器、电动工具和工业设备中的控制系统。

4. **LED 驱动和照明控制**:MC7323-VB 可以应用于 LED 照明和显示屏控制中,通过其低损耗和高效切换特性来提高照明系统的能效,广泛应用于商业和家庭照明领域。

5. **低压电池管理**:在电池管理系统中,该 MOSFET 可以用于调节电池的充放电过程,有效延长电池寿命,适合便携式电源设备和可再充电设备中的应用。

总之,MC7323-VB 具有小尺寸封装、低导通电阻和高可靠性,适用于广泛的低压应用场景,尤其在电源管理、负载开关及照明控制等领域具有极佳的表现。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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