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MC3218-VB 产品详细

产品简介:

MC3218-VB 产品简介
MC3218-VB 是一款高性能的单 N 沟道功率 MOSFET,采用紧凑的 DFN8(3X2)-B 封装,专为高效能电源管理应用而设计。该器件具有最大漏源电压为 30V 和栅源电压为 ±20V,适合多种应用场景。其阈值电压为 1.5V,确保在低电压下也能快速开启,具有优越的导通性能。MC3218-VB 的导通电阻在 VGS = 10V 时仅为 16mΩ,VGS = 4.5V 时为 19mΩ,能够在高电流条件下有效降低功耗,提升系统整体效率。采用先进的 Trench 技术,这款 MOSFET 提供了卓越的热性能和开关特性,广泛应用于消费电子、工业设备以及汽车电子等领域。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X2)-B Single-N 30V 1.5V 9A 16mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X2)-B Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X2)-B Single-N 30V 1.5V 9A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X2)-B Single-N 30V 1.5V 9A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(3X2)-B Single-N
MC3218-VB 详细参数说明
- **封装 (Package):** DFN8(3X2)-B
- **配置 (Configuration):** 单 N 沟道 (Single-N-Channel)
- **漏源电压 (VDS):** 30V
- **栅源电压 (VGS):** ±20V
- **阈值电压 (Vth):** 1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON)):**
- 19mΩ @ VGS = 4.5V
- 16mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID):** 9A
- **技术 (Technology):** Trench

领域和模块应用:

MC3218-VB 应用领域及模块
1. **电源管理**:MC3218-VB 在开关电源和 DC-DC 转换器中发挥重要作用,能够高效地控制电流流动,确保电源转换的高效性与稳定性。其低导通电阻特性能够显著减少能量损失,适用于各种电子设备的电源管理模块。

2. **负载开关**:该 MOSFET 适用于负载开关应用,如电源管理单元(PMU)和智能插座。其快速响应特性使得在负载变化时能够迅速切换,有效保证设备的正常运行与安全。

3. **LED 驱动**:MC3218-VB 也可用于 LED 驱动电路,能够根据负载需求调节电流,确保 LED 亮度稳定且均匀。其低热阻特性使得设备在长时间工作时能保持良好的散热性能。

4. **电机控制**:该 MOSFET 可用于无刷直流电机和步进电机的驱动控制,适用于电动工具、机器人和自动化设备。通过精确的电流控制,MC3218-VB 能够实现高效的电机速度和位置控制,满足工业自动化的需求。

5. **消费电子**:在消费电子产品如智能手机、平板电脑等中,MC3218-VB 可用作电源切换和管理开关,提供高效的电源供应与管理功能,提升设备的整体性能与续航能力。

综上所述,MC3218-VB 以其出色的电气性能和适用性,成为电源管理、负载开关、LED 驱动等多个领域的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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