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LNN10R180-VB 产品详细

产品简介:

一、LNN10R180-VB 产品简介
LNN10R180-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用DFN8(5X6)封装,专为高效能和高电压应用设计。其具有较低的导通电阻(RDS(ON))和优异的热性能,能够在高达100V的漏极-源极电压下稳定工作。该器件的阈值电压(Vth)为1.8V,适合于低电压驱动场合。LNN10R180-VB的最大漏极电流为30A,广泛应用于电源管理、LED驱动和电动汽车等领域。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 100V 1.8V 30A 17mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 100V 1.8V 30A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 100V 1.8V 30A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-N
二、LNN10R180-VB 详细参数说明
- **封装类型**:DFN8(5X6)
- **极性配置**:单N沟道
- **漏极-源极耐压 (VDS)**:100V
- **栅极-源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:17mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**:30A
- **技术**:沟槽(Trench)技术

领域和模块应用:

三、适用领域和应用模块
1. **电源管理系统**
LNN10R180-VB在电源管理应用中表现出色,适用于DC-DC转换器、逆变器和其他电源模块。其低导通电阻有助于提高转换效率,降低能耗,满足现代电子设备对高效能和小型化的要求。

2. **电动汽车**
在电动汽车的电池管理系统(BMS)中,LNN10R180-VB能够处理高电压和高电流,提供稳定的性能,确保电池的安全和高效充放电。该器件的优异热性能也能保证在高功率密度环境中可靠运行。

3. **LED照明驱动**
在LED驱动应用中,LNN10R180-VB能够实现高效能和精确的电流控制,以满足各种照明需求。其低导通电阻特性有助于减少能量损失,提高LED照明系统的整体效率。

4. **工业设备**
在工业设备中的电机控制、开关电源和自动化系统,LNN10R180-VB可以用作高效能的开关器件,适应多种工作环境和负载需求,确保设备的稳定性和高效性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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