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LH5030-VB 产品详细

产品简介:

LH5030-VB MOSFET 产品简介

LH5030-VB 是一款高性能的单 N 沟道 MOSFET,采用 DFN8 (5x6) 封装,专为高电压和高电流应用设计。其最大漏源电压 (VDS) 达到 100V,适用于多种中到高电压的电源和驱动电路。LH5030-VB 的最大连续漏电流 (ID) 高达 100A,使其能够在高负载情况下稳定工作。该 MOSFET 的导通电阻 (RDS(ON)) 在 VGS=10V 时为 5mΩ,展现出极低的功耗和发热特性,适合用于对能效要求较高的应用。采用 Trench 技术,LH5030-VB 提供了优越的开关特性和可靠性,满足现代电子产品的高性能需求。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 100V 1~3V 100A 5mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 100V 1~3V 100A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 100V 1~3V 100A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-N
详细参数说明

- **型号:** LH5030-VB
- **封装:** DFN8 (5x6)
- **配置:** 单 N 沟道
- **最大漏源电压 (VDS):** 100V
- **最大栅源电压 (VGS):** ±20V
- **门阈电压 (Vth):** 1V ~ 3V
- **导通电阻 (RDS(ON)):**
- 6mΩ @ VGS = 4.5V
- 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大连续漏电流 (ID):** 100A
- **技术:** Trench

领域和模块应用:

适用领域和模块的应用示例

1. **电源转换器**:
LH5030-VB 非常适合用于高效的 DC-DC 转换器,能够在电源管理系统中实现高电流和低功耗的转换,特别是在需要长时间稳定运行的应用场合,如服务器电源、工业电源和电信设备。

2. **电动机控制**:
该 MOSFET 可用于各种电动机驱动器,如步进电动机和无刷直流电动机控制。在电动机驱动应用中,LH5030-VB 的高电流处理能力和快速开关特性能够提供平稳的运行和高效能,非常适合用于电动车、自动化设备和家电产品。

3. **LED 照明系统**:
LH5030-VB 适用于高功率 LED 照明电路,尤其是在需要高亮度和长寿命的照明解决方案中。其低导通电阻能够有效降低能耗,延长 LED 使用寿命,广泛应用于商业和住宅照明领域。

4. **开关电源 (SMPS)**:
在开关电源设计中,LH5030-VB 的快速开关特性和较低的发热量使其能够提升系统效率,适用于消费电子、通信设备和电源适配器等领域。高电流承载能力使得它在高效能电源解决方案中具有重要地位。

综上所述,LH5030-VB 是一款性能卓越的 MOSFET,能够满足多种高电压和高电流应用的需求,特别适合于电源转换器、电动机控制、LED 照明和开关电源等多个领域。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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