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L530N-VB 产品详细

产品简介:

一、L530N-VB 产品简介

L530N-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,采用TO220封装,专为要求高效率和高功率的电子应用设计。该器件具有最大漏源电压(VDS)为100V和栅源电压(VGS)为±20V的能力,能够在高电压条件下稳定工作。其阈值电压(Vth)为1.8V,确保MOSFET在较低的栅源电压下即能导通,具有较好的开关特性。在VGS为10V时,导通电阻(RDS(ON))为127mΩ,显示出其良好的导电性能,最大漏极电流(ID)可达18A。L530N-VB采用沟槽(Trench)技术,这种技术优化了器件的性能,降低了开关损耗,适合各种电源管理、负载开关和电动机驱动应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 100V 1.8V 18A 127mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 100V 1.8V 18A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 100V 1.8V 18A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
二、L530N-VB 详细参数说明

| 参数 | 规格 |
|---------------------|--------------------------------------------|
| **封装类型** | TO220 |
| **通道配置** | 单N沟道 |
| **最大漏源电压 (VDS)** | 100V |
| **栅源电压 (VGS)** | ±20V |
| **阈值电压 (Vth)** | 1.8V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 127mΩ @ VGS=10V |
| **最大漏极电流 (ID)** | 18A |
| **技术类型** | 沟槽型(Trench) |
| **工作温度范围** | -55°C 至 +150°C |
| **封装特点** | 适合高功率和高电流应用,具有良好的散热性能 |

L530N-VB以其高电流和高电压能力,结合低导通电阻,成为电源管理及开关电路的理想选择。

领域和模块应用:

三、应用领域和模块举例

**1. 电源管理:**
L530N-VB广泛应用于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中,能够有效降低能量损耗,提高电源转换效率。它在电信设备、电源适配器及计算机电源模块中均表现出色,能够支持高效能电源管理需求。

**2. 负载开关:**
该MOSFET适合用于负载开关应用,可以在较低的驱动电压下稳定控制较大的负载。常见应用包括LED照明、智能家居设备和电动工具等,能够满足快速开关和高电流输出的需求。

**3. 电动机控制:**
在电动机控制领域,L530N-VB可以作为电机驱动电路中的主要开关元件,支持高电流和高电压操作,适合电动工具和家用电器中的电动机控制,提高了运行效率和可靠性。

**4. 汽车电子:**
在汽车电子应用中,L530N-VB能够有效支持电源管理系统和电动机控制,特别是在电动汽车和混合动力车的电池管理和驱动系统中,能确保稳定可靠的电力供应。

综上所述,L530N-VB凭借其高电流和高电压能力,广泛适用于电源管理、负载开关和电动机控制等多个领域,是高效能应用的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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