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KIA6720N-VB 产品详细

产品简介:

一、KIA6720N-VB产品简介

KIA6720N-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO220封装,专为中高压应用设计。其最大漏源电压(VDS)为200V,栅源电压范围为±20V,具有良好的电流处理能力,漏极电流(ID)高达30A。该器件的阈值电压(Vth)为3V,导通电阻(RDS(ON))为110mΩ @ VGS=10V,采用先进的沟槽技术(Trench),使其在高效开关和功率管理应用中表现优异。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 30A 110mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 30A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 30A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
二、KIA6720N-VB详细参数说明

| 参数 | 规格 |
|---------------------|-------------------------------------------|
| **封装类型** | TO220 |
| **通道配置** | 单N沟道 |
| **最大漏源电压 (VDS)** | 200V |
| **栅源电压 (VGS)** | ±20V |
| **阈值电压 (Vth)** | 3V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 110mΩ @ VGS=10V |
| **最大漏极电流 (ID)** | 30A |
| **技术类型** | 沟槽型(Trench) |
| **工作温度范围** | -55°C至+150°C |
| **封装特点** | 适用于高效能和中高压操作 |

KIA6720N-VB以其低导通电阻和高电流处理能力,成为高性能电源管理和功率控制的理想选择。

领域和模块应用:

三、应用领域和模块举例

**1. 开关电源(SMPS):**
KIA6720N-VB在开关电源设计中可作为主开关器件,能够在200V的高电压下实现高效的电源转换,广泛应用于工业电源和消费电子产品中。

**2. 直流-直流转换器(DC-DC Converter):**
在DC-DC转换器中,该MOSFET可用于高效能的电压转换,确保设备在负载变化时保持稳定,适用于电池供电设备和电源适配器。

**3. 电动汽车(EV)电源管理:**
KIA6720N-VB适用于电动汽车的电源管理系统,能够在高电压下稳定控制电机驱动和电池管理,确保电动汽车的高效能和安全性。

**4. 照明控制:**
在LED照明和其他高功率照明系统中,该器件能够高效驱动灯具,提供可靠的电源控制和调节,满足现代照明应用的高要求。

通过这些应用,KIA6720N-VB展现了其在中高压和高效能环境下的广泛适用性,是电源管理和功率控制中不可或缺的组件。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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