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KIA2910N-VB 产品详细

产品简介:

一、KIA2910N-VB 产品简介
KIA2910N-VB 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,封装形式为 TO220,具有高功率处理能力。该器件具有 100V 的漏源极电压 (VDS) 额定值,能够在苛刻的电源管理和开关应用中提供出色的导通特性。它使用了先进的沟槽 (Trench) 技术,最大化了电流处理能力,漏极电流 (ID) 额定为 100A。适中的门极阈值电压 (Vth) 2.5V,使其在较低的驱动电压下也能有效开启,适用于高效的功率管理和开关操作。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A 9mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
二、KIA2910N-VB 详细参数说明
- **封装类型**:TO220
- **配置**:单 N 沟道 (Single-N-Channel)
- **漏源极电压 (VDS)**:100V
- **栅源极电压 (VGS)**:±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**:2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 20mΩ @ VGS = 4.5V
- 9mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:100A
- **技术**:沟槽 (Trench)
- **工作温度范围**:-55°C ~ 175°C
- **输入电容 (Ciss)**:通常在几千皮法 (pF) 级别,取决于驱动条件
- **开关速度**:快速的导通和关断时间,具体取决于栅极电荷 (Qg) 和外部驱动电路
- **封装尺寸**:TO220 封装尺寸为标准的 10.4 mm x 4.6 mm x 15.75 mm
- **耗散功率 (PD)**:典型值为 150W

领域和模块应用:

三、KIA2910N-VB 适用领域和模块应用

1. **电源管理模块**:
由于 KIA2910N-VB 拥有低 RDS(ON) 和高电流处理能力,它非常适用于 DC-DC 转换器和电源模块。这类 MOSFET 可用于高效率的电源设计,减少功率损耗并提高电源的转换效率,尤其是在服务器电源和数据中心中。

2. **电机驱动控制器**:
在电机控制领域,该 MOSFET 可用于驱动直流电机或无刷电机。其高电流承受能力使其适合用于需要高电流的电机驱动应用,诸如工业自动化设备中的电机控制模块、机器人技术等。

3. **电动汽车充电系统**:
由于其高 VDS 和 ID 额定值,KIA2910N-VB 也适合用于电动汽车充电器的开关和保护电路中。其优异的开关特性和低功耗使其能够在高效充电模块中减少发热并提高整体性能。

4. **逆变器与光伏系统**:
这款 MOSFET 也非常适合光伏逆变器中的功率开关应用。在光伏系统中,它能够高效地处理太阳能板产生的高电流并将其转换为可用电力,广泛应用于太阳能发电系统中。

5. **不间断电源 (UPS)**:
KIA2910N-VB 在 UPS 系统中用作主要的开关元件,负责高效率地切换电源状态,以确保在市电故障时能迅速提供备用电源。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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