产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.6/-1.7V |
±8A |
|
|
18/40mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.6/-1.7V |
±8A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.6/-1.7V |
±8A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| SOP8 |
Dual-N+P |
|
|
|
|
|
|
|
：**
1. **封装类型**：SOP8
2. **配置**：双N+P沟道
3. **最大漏源电压（VDS）**：±30V
4. **栅源电压（VGS）**：±20V
5. **阈值电压（Vth）**：
- N通道：1.6V
- P通道：-1.7V
6. **导通电阻（RDS(ON)）**：
- @ VGS=4.5V：N通道 24mΩ / P通道 50mΩ
- @ VGS=10V：N通道 18mΩ / P通道 40mΩ
7. **最大漏极电流（ID）**：±8A
8. **最大功耗（Ptot）**：60W
9. **工作温度范围**：-55°C至150°C
10. **技术**：Trench技术，适合低导通损耗和高开关频率的应用
11. **最大脉冲漏极电流（IDM）**：20A
**三、
领域和模块应用：
：**
1. **电源管理系统**：KD4501-VB广泛应用于开关电源（SMPS）、适配器和电池管理系统中。其低导通电阻有助于提高转换效率，降低热损耗，适合需要高效率和高功率密度的应用。
2. **H桥电机驱动**：在电机驱动领域，该器件可用于H桥电路设计，适合直流电机和步进电机的驱动。KD4501-VB的双N+P通道设计简化了电路布局，并提高了整体驱动性能。
3. **LED驱动电路**：该MOSFET适用于LED照明应用，包括LED驱动和智能照明控制系统。通过控制LED的驱动电流，KD4501-VB能够实现高效、稳定的照明效果，同时降低能耗。
4. **信号开关和调节**：KD4501-VB可用于音频和视频信号开关、开关调节器等应用，能够实现快速和稳定的信号切换，满足高频率应用的需求。
KD4501-VB凭借其卓越的电气特性、灵活的封装设计以及广泛的应用适用性，成为现代电源管理和高效能系统中的理想选择，为各种应用提供可靠的性能和效率。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
立即下载
中文
English
返回上级页面
