K894-VB - VBsemi MOS管制造商

K894-VB 产品详细

描述
参数
应用
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产品简介：

：**

K894-VB是一款高性能的单通道N沟道MOSFET，采用TO220封装，专为高压应用设计。该器件具有650V的最大漏源电压（VDS）和±30V的栅源电压（VGS），其阈值电压（Vth）为3.5V。在VGS为10V的条件下，其导通电阻（RDS(ON)）为800mΩ，最大漏极电流（ID）为12A。K894-VB采用平面型（Plannar）技术，能够有效降低开关损耗，并在高压和高功率应用中提供稳定的性能，是各种电子设备的理想选择。

**二、K894-VB

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	650V		3.5V	12A			800mΩ	Plannar

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						Plannar

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	650V		3.5V	12A		Plannar

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	650V		3.5V	12A		Plannar

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-N

：**

1. **封装类型**：TO220
2. **配置**：单N沟道
3. **最大漏源电压（VDS）**：650V
4. **栅源电压（VGS）**：±30V
5. **阈值电压（Vth）**：3.5V
6. **导通电阻（RDS(ON)）**：800mΩ @ VGS=10V
7. **最大漏极电流（ID）**：12A
8. **最大功耗（Ptot）**：75W
9. **工作温度范围**：-55°C至150°C
10. **技术**：平面型（Plannar）技术，适用于高压和高功率应用
11. **最大脉冲漏极电流（IDM）**：30A

**三、

领域和模块应用：

：**

1. **电源管理**：K894-VB广泛应用于开关电源（SMPS）、DC/DC转换器及其他电源管理模块，能够在高压条件下提供稳定的开关性能，并降低能耗，提高效率，满足各种电源应用的需求。

2. **电机驱动**：在电动机控制系统中，此MOSFET可用于驱动直流电机和无刷电机，适合应用于工业自动化、机器人及电动工具。其高电流承载能力确保电机在启动和运行过程中的平稳控制。

3. **逆变器**：K894-VB在太阳能逆变器和其他电力转换设备中可作为开关器件，利用其高压能力和低导通电阻来提高系统效率，确保可靠的电力转换和控制。

4. **照明控制**：在LED驱动和照明控制系统中，K894-VB可用于控制高功率LED，提供稳定的电流输出，优化照明效果，同时降低功耗。

K894-VB因其优异的电气特性和广泛的应用范围，成为高压电子产品的理想选择，能够满足现代电源管理和控制系统的需求。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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