K806TK4A60-VB - VBsemi MOS管制造商

K806TK4A60-VB 产品详细

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产品简介：

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K806TK4A60-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO220 封装，专为高压应用设计。该器件具有 650V 的漏极-源极电压（VDS），能够满足高电压环境下的工作要求。其栅极-源极电压（VGS）为 ±30V，保证了在各种条件下的安全性与可靠性。K806TK4A60-VB 的阈值电压（Vth）为 3.5V，导通电阻（RDS(ON)）为 2200mΩ（@ VGS=10V），在电流通过时提供较大的阻抗，这使其在高电流条件下的功耗略显较高，最大漏极电流（ID）为 4A。该 MOSFET 采用平面工艺（Plannar）技术，具有良好的热管理和稳定的电气性能。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	650V		3.5V	4A			2200mΩ	Plannar

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						Plannar

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	650V		3.5V	4A		Plannar

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	650V		3.5V	4A		Plannar

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-N

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- **封装类型**：TO220
- **配置**：单 N 沟道
- **漏极-源极电压（VDS）**：650V
- **栅极-源极电压（VGS）**：±30V
- **阈值电压（Vth）**：3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：2200mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流（ID）**：4A
- **技术类型**：平面工艺（Plannar）
- **工作温度范围**：-55°C 至 +150°C
- **功耗（Ptot）**：100W
- **击穿电压**：650V
- **最大功耗**：100W

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领域和模块应用：

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1. **高压电源供应**：K806TK4A60-VB 常用于高压电源供应和变换器中，其 650V 的漏极-源极电压使其能够在高电压应用中可靠工作，如开关电源和逆变器。这种特性使其在工业和消费类电源模块中非常受欢迎。

2. **照明控制系统**：该 MOSFET 可用于高压照明控制，如 HID 灯和 LED 驱动器，帮助确保稳定和高效的电流控制，提升照明设备的性能和寿命。

3. **电机驱动器**：K806TK4A60-VB 适合用于小型电机驱动应用，特别是在需要高压和高电流控制的场合，如电动工具和家电设备。这种器件能够在极端工作条件下保持良好的性能。

4. **电能计量与监控**：由于其高电压和高功率耐受能力，K806TK4A60-VB 也可用于电能计量设备和监控系统中，确保精确的电能测量与控制，适应现代智能电表的要求。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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