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K791-VB 产品详细

产品简介:

产品简介 - K791-VB MOSFET

K791-VB 是一款采用 **TO220 封装** 的 **单一N沟道MOSFET**,专为高电压应用设计。该MOSFET具有 **850V 的漏源电压(VDS)** 和 **±30V 的栅源电压(VGS)**,使其在高电压场景中表现出色。其 **阈值电压(Vth)** 为 **3.5V**,确保其在适当的栅电压下快速导通。虽然其 **RDS(ON)** 为 **2700mΩ**(当栅极驱动电压为10V时),相对较高,但仍可满足某些低功耗应用的需求。该MOSFET 的 **最大连续漏极电流(ID)** 为 **4A**,适合多种中等功率的应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 850V 3.5V 4A 2700mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 850V 3.5V 4A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 850V 3.5V 4A Plannar
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明 - K791-VB

- **封装类型**:TO220
- **配置**:单一N沟道
- **漏源电压(VDS)**:850V
- **栅源电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:2700mΩ@VGS=10V
- **连续漏极电流(ID)**:4A
- **工作温度范围**:-55°C ~ 150°C
- **技术类型**:平面技术(Planar)
- **最大功耗(Ptot)**:40W(在25°C环境下)

领域和模块应用:

应用领域和模块

1. **高压电源供应**:
K791-VB 适合于 **高压电源模块**,如用于 **直流-直流转换器** 和 **AC-DC适配器**。其高漏源电压(VDS)能够支持多种需要高电压输入的应用,确保在各种工作条件下可靠运行。

2. **工业控制**:
在 **工业设备** 中,K791-VB 可以用于控制高电压负载的电路,例如 **电动机驱动**、**继电器驱动** 和 **开关电源**,适合在要求较高电压的环境中工作,提供可靠的开关和控制功能。

3. **照明系统**:
该MOSFET 在 **高压照明系统** 中也有广泛应用,尤其是在 **LED驱动器** 和 **灯具控制** 中。由于其高电压承受能力,可以轻松应对市电电压,适合用于各种商业和工业照明场景。

4. **电气隔离**:
K791-VB 可应用于 **电气隔离电路**,如在 **光隔离器** 和 **信号调节器** 中,提供必要的高电压支持,同时保持良好的电气性能。

综上所述,K791-VB MOSFET 适用于各种高电压和中等功率的应用领域,尤其在电源管理、工业控制和照明系统中表现出色。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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