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K55D10J1-VB 产品详细

产品简介:

产品简介:K55D10J1-VB MOSFET

K55D10J1-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用TO220封装,适用于100V以内的高电流应用。该器件在VGS=10V时的导通电阻(RDS(ON))仅为9mΩ,可承受最大100A的导通电流(ID),确保在大电流操作下具有较低的功耗和热损耗。它采用了先进的Trench(沟槽)技术,使得其在开关速度、导通性能和热管理方面表现优异,特别适用于高效率电源管理和驱动电路。K55D10J1-VB广泛应用于汽车电子、电机驱动、电源管理和工业控制领域。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A 9mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 100V 2.5V 100A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明:

- **封装类型**: TO220
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压(VDS)**: 100V
- **栅源电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 2.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 20mΩ @ VGS = 4.5V
- 9mΩ @ VGS = 10V
- **最大导通电流(ID)**: 100A
- **技术**: Trench(沟槽)
- **功耗**: 低导通损耗,适用于高电流高效应用
- **工作温度范围**: 支持工业和汽车级高温环境

领域和模块应用:

应用领域与模块示例:

1. **汽车电子系统**:K55D10J1-VB在汽车电子中广泛应用,尤其适合用于电动汽车的电机驱动、电池管理系统和车载充电器等模块。其高电流和低导通电阻特性使得其在处理大功率和高效能的应用中表现出色。

2. **电动机驱动**:该MOSFET可用于电动机驱动器的主开关电路,适合控制中小功率电动机的启动和停止,同时其低RDS(ON)值确保了驱动器的高效率和低热损耗。

3. **电源管理系统**:在开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中,K55D10J1-VB可作为功率开关元件,高效进行电压转换和能量传输,确保系统稳定性和可靠性。

4. **工业控制设备**:在工业控制系统中,该器件能够有效处理高达100A的电流,适用于自动化设备、可编程逻辑控制器(PLC)以及其他工业应用的功率管理模块。

5. **太阳能逆变器**:在太阳能发电系统的逆变器中,该MOSFET可以高效处理来自太阳能板的直流电,并将其转换为交流电,确保系统的高能效和长时间运行的可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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