推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

K4029-VB 产品详细

产品简介:

K4029-VB MOSFET 产品简介

K4029-VB 是一款高效的N沟道MOSFET,采用小型化的SC70-3封装,专为低电压和高开关频率应用而设计。其最大漏极-源极电压(VDS)为20V,栅极-源极电压(VGS)可达到±12V。该MOSFET的导通电阻(RDS(ON))在不同栅压下表现出色,分别为48mΩ(VGS=2.5V)、40mΩ(VGS=4.5V)和36mΩ(VGS=10V),可承载最高4A的漏极电流。K4029-VB基于Trench技术制造,具有出色的开关性能和低能量损耗,非常适合用于快速开关电源及高效率电源管理系统。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SC70-3 Single-N 20V 0.5~1.5V 4A 48mΩ 36mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SC70-3 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SC70-3 Single-N 20V 0.5~1.5V 4A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SC70-3 Single-N 20V 0.5~1.5V 4A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SC70-3 Single-N
详细参数说明

- **封装类型**: SC70-3
- **沟道配置**: 单一N沟道
- **最大漏极-源极电压(VDS)**: 20V
- **最大栅极-源极电压(VGS)**: ±12V
- **开启电压(Vth)**: 0.5V ~ 1.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 48mΩ @ VGS=2.5V
- 40mΩ @ VGS=4.5V
- 36mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流(ID)**: 4A
- **技术类型**: Trench技术
- **工作温度范围**: -55°C 至 +150°C
- **功耗(Pd)**: 30W (典型值)
- **最大瞬态栅极电荷(Qg)**: 20nC
- **输入电容(Ciss)**: 500pF

领域和模块应用:

应用领域及模块举例

1. **移动设备电源管理**
K4029-VB 非常适合用于**智能手机、平板电脑和其他便携式设备的电源管理**。其小巧的SC70-3封装和低导通电阻确保了电源转换的高效性,有助于延长电池使用时间。

2. **LED驱动器**
在**LED照明应用**中,K4029-VB 可以作为高效的开关元件,控制LED灯的亮度和开关。其快速开关性能和低热量产生,使其在各种LED驱动器中表现出色。

3. **电源适配器**
该MOSFET也广泛应用于**电源适配器和充电器**,帮助提高整体电源转换效率。K4029-VB 的高电流承载能力和优良的热管理特性,确保适配器在高负载条件下稳定运行。

4. **高频开关电源**
在**开关电源(SMPS)**中,K4029-VB 的低导通电阻和快速开关能力使其成为理想选择,能够有效提高电源转换效率,降低功耗和热量。

综上所述,K4029-VB MOSFET 凭借其优异的性能和广泛的应用范围,是移动设备、电源管理和LED驱动领域的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

QQ咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
在线咨询
电话咨询
微信咨询