产品参数:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SC70-3 |
Single-N |
20V |
|
0.5~1.5V |
4A |
48mΩ |
|
36mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SC70-3 |
Single-N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SC70-3 |
Single-N |
20V |
|
0.5~1.5V |
4A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SC70-3 |
Single-N |
20V |
|
0.5~1.5V |
4A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| SC70-3 |
Single-N |
|
|
|
|
|
|
|
详细参数说明
- **封装类型**: SC70-3
- **沟道配置**: 单一N沟道
- **最大漏极-源极电压(VDS)**: 20V
- **最大栅极-源极电压(VGS)**: ±12V
- **开启电压(Vth)**: 0.5V ~ 1.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 48mΩ @ VGS=2.5V
- 40mΩ @ VGS=4.5V
- 36mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流(ID)**: 4A
- **技术类型**: Trench技术
- **工作温度范围**: -55°C 至 +150°C
- **功耗(Pd)**: 30W (典型值)
- **最大瞬态栅极电荷(Qg)**: 20nC
- **输入电容(Ciss)**: 500pF
领域和模块应用:
应用领域及模块举例
1. **移动设备电源管理**
K4029-VB 非常适合用于**智能手机、平板电脑和其他便携式设备的电源管理**。其小巧的SC70-3封装和低导通电阻确保了电源转换的高效性,有助于延长电池使用时间。
2. **LED驱动器**
在**LED照明应用**中,K4029-VB 可以作为高效的开关元件,控制LED灯的亮度和开关。其快速开关性能和低热量产生,使其在各种LED驱动器中表现出色。
3. **电源适配器**
该MOSFET也广泛应用于**电源适配器和充电器**,帮助提高整体电源转换效率。K4029-VB 的高电流承载能力和优良的热管理特性,确保适配器在高负载条件下稳定运行。
4. **高频开关电源**
在**开关电源(SMPS)**中,K4029-VB 的低导通电阻和快速开关能力使其成为理想选择,能够有效提高电源转换效率,降低功耗和热量。
综上所述,K4029-VB MOSFET 凭借其优异的性能和广泛的应用范围,是移动设备、电源管理和LED驱动领域的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性