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K3922-01-VB 产品详细

产品简介:

一、K3922-01-VB MOSFET 产品简介
K3922-01-VB是一款采用TO220封装的单N沟道MOSFET,设计用于中低压高功率应用。其漏源电压(VDS)为100V,适合在中等电压条件下运行。该器件的栅源电压(VGS)范围为±20V,具有灵活的驱动选项。K3922-01-VB的阈值电压(Vth)为1.8V,使其能够在较低的驱动电压下实现导通。其导通电阻(RDS(ON))在VGS为10V时为17mΩ,允许最大漏极电流(ID)达到70A。这些特性使K3922-01-VB非常适合用于功率管理和开关应用,尤其是在电源转换和电动机驱动领域。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 100V 1.8V 70A 17mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 100V 1.8V 70A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 100V 1.8V 70A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
二、K3922-01-VB 详细参数说明
1. **封装类型**:TO220
2. **配置**:单N沟道
3. **漏源电压 (VDS)**:100V
4. **栅源电压 (VGS)**:±20V
5. **阈值电压 (Vth)**:1.8V
6. **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 17mΩ @ VGS=10V
7. **漏极电流 (ID)**:70A
8. **技术**:Trench
9. **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C
10. **频率响应**:适合中频应用

领域和模块应用:

三、应用领域与模块示例
1. **电源转换器**:K3922-01-VB非常适合用于DC-DC转换器和AC-DC电源模块。其高漏极电流和低导通电阻使得能量转换过程中的功率损耗降低,从而提高电源效率,广泛应用于电力电子领域。

2. **电动机控制**:在工业自动化和电动机驱动系统中,K3922-01-VB能够有效驱动大功率负载,例如直流电动机和步进电动机。其高电流承载能力确保设备在高负载条件下可靠运行,满足工业应用的要求。

3. **电池管理系统**:该MOSFET可用于电池管理系统(BMS),在电动汽车和储能系统中,实现对电池充放电过程的有效控制。K3922-01-VB的快速开关特性和较低的导通损耗能够提升电池的充放电效率和系统的整体性能。

4. **LED驱动**:在LED照明和驱动电路中,K3922-01-VB可用作开关元件,有效控制LED的工作状态和亮度。其高效能和稳定性使其适合用于各种照明应用,提供高质量的光源。

5. **通信设备**:在通信基站和射频放大器中,K3922-01-VB可以用于功率放大器的开关电源模块,提供稳定的电源供应,确保设备在高负载情况下的可靠性与稳定性。其优良的开关特性适合用于现代通信设备中。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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