K3682-01-VB - VBsemi MOS管制造商

K3682-01-VB 产品详细

描述
参数
应用
技术支持

产品简介：

K3682-01-VB 产品简介
K3682-01-VB是一款高压N沟道MOSFET，采用TO220封装，专为650V高电压应用设计。该器件使用SJ_Multi-EPI技术，具有良好的开关性能和高效的导通特性，适合各种高压电源管理和转换应用。

文件下载

下载PDF 文档

立即下载

点击查看大图

产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	650V		3.5V	15A			220mΩ	SJ_Multi-EPI

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						SJ_Multi-EPI

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	650V		3.5V	15A		SJ_Multi-EPI

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	650V		3.5V	15A		SJ_Multi-EPI

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-N

详细参数说明
- **封装类型**：TO220
- **配置**：Single-N-Channel
- **VDS**：650V
- **VGS**：±30V
- **Vth**：3.5V
- **RDS(ON)**：220mΩ @ VGS=10V
- **ID**：15A
- **技术**：SJ_Multi-EPI

领域和模块应用：

应用领域与模块示例
K3682-01-VB广泛应用于高压电源转换器、逆变器以及照明设备中。在电源转换器中，该MOSFET能够有效控制输出电压，确保电源的稳定性和效率。在逆变器应用中，其650V的高耐压能力使其适合于太阳能发电系统和电动汽车充电装置。此外，该器件在LED驱动和高压工业设备中也有着广泛的应用，能够实现高效的能量管理和可靠的性能。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

推广型号

K3682-01-VB 产品详细

产品简介：

文件下载

下载PDF 文档

产品参数：

领域和模块应用：

技术支持：

打样申请

QQ咨询

电话咨询

微信咨询

一键置顶