K3678-01-VB - VBsemi MOS管制造商

K3678-01-VB 产品详细

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K3678-01-VB 是一款高电压单 N 通道 MOSFET，采用 TO220 封装，专为高压应用设计。其最大漏源电压可达到 900V，适合需要稳定和高效能的电源管理系统，能够承载高达 7A 的电流，确保在严苛条件下的可靠运行。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	900V		3.5V	7A			950mΩ	SJ_Multi-EPI

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						SJ_Multi-EPI

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	900V		3.5V	7A		SJ_Multi-EPI

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	900V		3.5V	7A		SJ_Multi-EPI

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-N

详细参数说明
- **型号**: K3678-01-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单 N 通道
- **VDS**: 900V
- **VGS**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **RDS(ON)**: 950mΩ (VGS=10V)
- **ID**: 7A
- **技术**: SJ_Multi-EPI

领域和模块应用：

适用领域和模块
K3678-01-VB 广泛应用于高压开关电源、逆变器和电动机驱动等领域。由于其高漏源电压特性，特别适合用于太阳能逆变器和高压直流转换器，确保高效能和稳定性。此外，它在工业设备、照明控制和高压电源系统中也被广泛应用，为各种应用提供可靠的电力控制解决方案。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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