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K3519-01-VB 产品详细

产品简介:

K3519-01-VB 产品简介

K3519-01-VB是一款高压单N通道MOSFET,采用TO220封装,专为高电压应用设计。其最大漏源电压(VDS)为500V,适合用于各种电源管理和转换系统。K3519-01-VB的阈值电压(Vth)为3.1V,能够在较高栅源电压下可靠工作。该器件的导通电阻(RDS(ON))为660mΩ(@VGS=10V),最大承载电流可达13A,确保在高压环境下提供稳定的电气性能。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 500V 3.1V 13A 660mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 500V 3.1V 13A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 500V 3.1V 13A Plannar
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
K3519-01-VB 详细参数说明

- **封装**:TO220
- **配置**:单N通道
- **最大漏源电压 (VDS)**:500V
- **栅源电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.1V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:660mΩ(@ VGS = 10V)
- **最大漏电流 (ID)**:13A
- **技术**:Plannar技术

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

1. **高压开关电源**:K3519-01-VB非常适合用于高压开关电源(SMPS),其高漏源电压和较低的导通电阻有助于提高转换效率,降低能量损耗。

2. **电动机驱动**:在高压电动机控制系统中,该MOSFET可用于H桥电路,控制电机的运行,适用于工业自动化设备和大型家用电器。

3. **逆变器**:K3519-01-VB可用于光伏逆变器和其他电力电子设备,能够处理高电压输出,确保稳定性和可靠性。

4. **电池管理系统**:在高压电池管理系统中,该MOSFET能够有效控制充放电过程,确保电池的安全和性能。

5. **电源适配器**:该器件可用于各种电源适配器,特别是在需要高电压和高功率的应用场景中,确保设备的稳定运行。

凭借其高压性能和广泛的适用性,K3519-01-VB是现代电源设计中的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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