产品简介：
产品简介
K3517-01-VB是一款高压单N沟道MOSFET，采用TO220封装，设计用于需要高电压和中等电流的应用。凭借其稳定的性能和相对较低的导通电阻，该产品在电源管理和开关电路中表现优异，适合多种电力电子应用。
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
600V |
|
3.5V |
8A |
|
|
780mΩ |
Plannar |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
|
|
|
|
|
Plannar |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
600V |
|
3.5V |
8A |
|
Plannar |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
600V |
|
3.5V |
8A |
|
Plannar |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| TO220 |
Single-N |
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详细参数说明
- **封装**：TO220
- **配置**：单N通道
- **VDS**：600V
- **VGS**：±30V
- **阈值电压 (Vth)**：3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 1070mΩ @ VGS=4.5V
- 780mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**：8A
- **技术**：Plannar
领域和模块应用：
应用领域
K3517-01-VB广泛应用于高压开关电源、逆变器和工业控制系统，特别适合于电力转换设备、光伏逆变器和其他高电压应用。其高耐压特性和可靠的电气性能使其能够在严苛环境下稳定运行，提高系统的效率和安全性。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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