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K2939L-VB 产品详细

产品简介:

产品简介:K2939L-VB MOSFET

K2939L-VB 是一款高效能的单N沟道功率MOSFET,采用TO220封装设计,专为中高功率应用而优化。其漏源电压(VDS)最高可达60V,漏极电流(ID)可达到50A,适合多种负载和电源条件。该器件的开启阈值电压(Vth)为1.7V,能够在较低栅极电压下实现快速导通。其导通电阻(RDS(ON))为24mΩ(在10V栅极电压下),显示出卓越的导通性能,从而在降低热损耗的同时提高系统效率。这些特性使得K2939L-VB非常适合用于高效率的电源管理、开关电源以及其他相关应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 50A 24mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 50A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 50A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
参数说明:

- **封装**: TO220
- **沟道配置**: 单N沟道
- **漏源电压(VDS)**: 60V
- **栅源电压(VGS)**: ±20V
- **开启阈值电压(Vth)**: 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 28mΩ@VGS=4.5V
- 24mΩ@VGS=10V
- **漏极电流(ID)**: 50A
- **技术**: Trench Technology
- **最大耗散功率**: 通常为75W(具体取决于散热条件)

领域和模块应用:

应用领域和模块:

1. **电源管理系统**:
K2939L-VB广泛应用于电源管理系统中,特别是在开关电源和DC-DC转换器中。由于其低导通电阻和高电流能力,该MOSFET可以显著提高转换效率,减少能量损耗。

2. **电机驱动器**:
在电机控制应用中,该MOSFET可以用作直流电机和步进电机的开关器件。其快速导通和高电流能力确保电机在各种工作条件下的平稳运行,适合用于工业自动化和机器人系统。

3. **LED驱动电路**:
K2939L-VB也非常适用于LED照明驱动电路。其高效的电流调节能力和低热量产生特性有助于提升LED照明的整体性能和使用寿命,适合用于商业照明和家庭照明设备。

4. **消费电子设备**:
此MOSFET适用于各类消费电子产品中的电源管理,如智能手机、平板电脑和游戏机。其小型封装和高效能使得其在现代电子设计中成为关键组件,能够满足日益增加的性能要求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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