产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SC70-3 |
Single-N |
20V |
|
0.5~1.5V |
4A |
48mΩ |
|
36mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SC70-3 |
Single-N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SC70-3 |
Single-N |
20V |
|
0.5~1.5V |
4A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SC70-3 |
Single-N |
20V |
|
0.5~1.5V |
4A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| SC70-3 |
Single-N |
|
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|
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|
详细参数说明
- **封装类型**：SC70-3
- **沟道配置**：单 N 沟道
- **漏源极电压 (VDS)**：20V
- **栅源极电压 (VGS)**：±12V
- **阈值电压 (Vth)**：0.5V ~ 1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 48mΩ @ VGS=2.5V
- 40mΩ @ VGS=4.5V
- 36mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**：4A
- **技术类型**：沟槽技术 (Trench)
- **最大功耗 (Pmax)**：受限于封装和散热能力，适合于低功耗应用。
- **工作温度范围**：-55°C 至 150°C
- **开关速度**：支持高频操作，适合在要求快速开关的应用场合。
领域和模块应用：
应用领域和模块举例
1. **电池供电设备**：由于其低导通电阻和低门极驱动电压，K2858-T1-A-VB 非常适合用于手持设备、移动电子产品等电池供电系统中，帮助延长电池寿命并提高设备能效。
2. **负载开关**：该 MOSFET 在低电压下能够有效开关，因此可用于智能负载管理器件中，如用于智能手机、平板电脑和其他便携式设备中的电源管理模块，确保高效控制电源分配。
3. **便携式充电器和电源适配器**：K2858-T1-A-VB 的快速开关能力，使其在便携式充电器和电源适配器中作为电流控制器件，能够确保电源转换的高效和可靠性。
4. **传感器模块**：其小型封装与低导通电阻特性，使得它在各种传感器应用中大有用武之地。它可以作为信号放大器和切换元件，帮助优化系统功耗。
5. **低电压马达驱动**：适用于小型电机驱动电路，尤其是需要快速响应的电机系统，如用于无人机、玩具和小型家电中的驱动控制模块。
K2858-T1-A-VB 在高密度电路设计中凭借其小巧封装、低导通电阻和快速开关性能，能够提供卓越的开关效率和功耗管理，适用于电池供电设备、负载开关、便携式充电器、传感器模块以及小型电机驱动等广泛应用场景。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
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