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K2767-01_1-VB 产品详细

产品简介:

K2767-01_1-VB MOSFET 产品简介

K2767-01_1-VB 是一款高压 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO220 封装,基于先进的 SJ_Multi-EPI 技术。其最大漏极-源极电压 (VDS) 可达到 900V,适用于要求高电压和可靠性的应用场景。该器件的最大漏极电流 (ID) 为 5A,在 10V 栅极电压下的导通电阻 (RDS(ON)) 为 1500mΩ,确保了在高电压电源和功率转换中出色的性能。K2767-01_1-VB 设计用于需要高电压操作的应用,尤其是在高功率和高稳定性的环境下。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 900V 3.5V 5A 1500mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 900V 3.5V 5A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 900V 3.5V 5A SJ_Multi-EPI
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **封装类型**:TO220
- **配置**:单通道 N 沟道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**:900V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**:±30V
- **开启电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 1500mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**:5A
- **技术**:SJ_Multi-EPI
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C
- **封装特性**:TO220 封装具有优良的热管理性能和电气隔离能力。

领域和模块应用:

应用领域与模块

1. **高压电源供应**:
K2767-01_1-VB 非常适合用于**工业高压电源**和**高压 DC-DC 转换器**。由于其高达 900V 的 VDS,能够稳定地处理高压电源,为各种工业设备提供可靠的电源解决方案。

2. **太阳能逆变器**:
在**太阳能逆变器**中,K2767-01_1-VB 可以用作开关元件,处理从太阳能电池板产生的高电压直流电。其高电压能力和可靠性使其能够在复杂的电力转换过程中有效工作,提高系统的效率和稳定性。

3. **电力变换系统**:
该 MOSFET 适用于各种**电力变换和电压稳压系统**,如电源调节器和变频器。K2767-01_1-VB 的高电压能力和优良的导通特性使其成为这些应用中的理想选择,确保在高压环境下的可靠性和安全性。

4. **消费电子与家用电器**:
K2767-01_1-VB 还可以用于某些**家用电器**和**高压消费电子产品**。由于其高效性和良好的热管理性能,它在需要高电压和高效能的场合表现出色,能够满足现代家用电器对电源的严格要求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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