K2408-VB - VBsemi MOS管制造商

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产品简介：

K2408-VB MOSFET 产品简介

K2408-VB 是一款高性能的 **单N沟道** MOSFET，采用 **TO220** 封装，设计用于高电压和中等电流的应用场合。其最大 **漏源电压 (VDS)** 可达 500V，适合在要求高电压隔离的电源管理和电力转换应用中使用。该器件的 **门源电压 (VGS)** 额定为 ±30V，确保在宽广的电压范围内安全工作。阈值电压 (Vth) 为 3.1V，使其在较低的驱动电压下即可启动。其 **导通电阻 (RDS(ON))** 在 VGS=10V 时为 660mΩ，相对较高的导通电阻导致一定的导通损耗，适合在对效率要求较低的场合使用。最大漏电流为 13A，采用 **Plannar** 技术，确保其在高温和高频条件下的稳定性。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	500V		3.1V	13A			660mΩ	Plannar

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						Plannar

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	500V		3.1V	13A		Plannar

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	500V		3.1V	13A		Plannar

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-N

详细参数说明

- **型号**：K2408-VB
- **封装**：TO220
- **配置**：单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**：500V
- **门源电压 (VGS)**：±30V
- **阈值电压 (Vth)**：3.1V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：660mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**：13A
- **技术**：Plannar
- **工作温度**：适用于宽广的温度范围。

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领域和模块应用：

应用领域和模块示例

K2408-VB 适用于多种高电压和中等电流的应用场景，以下是一些具体的应用示例：

1. **电源转换器**：该 MOSFET 可以作为开关元件使用于电源转换器中，如 AC-DC 适配器和 DC-DC 转换器，适合于需要高电压转换的电源模块。

2. **LED 驱动器**：K2408-VB 可在 LED 照明应用中用作驱动器，能够控制 LED 照明的开关和调光功能，适合于家居和商业照明解决方案。

3. **工业自动化**：在工业设备中，该 MOSFET 可用于电机驱动和控制电路，适合于电机的启停控制，广泛应用于自动化设备和机械。

4. **家电产品**：K2408-VB 可以在家电产品中用作高压开关元件，例如在微波炉、洗衣机等设备中控制电流，实现设备的安全操作。

K2408-VB 是一款稳定可靠的 MOSFET，非常适合各类需要高电压和中等电流的电源管理和控制应用。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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