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K20D60-VB 产品详细

产品简介:

产品简介:K20D60-VB
K20D60-VB是一款高性能N沟道功率MOSFET,采用TO220封装,专为高电压应用设计。其漏源极电压(VDS)达到650V,最大栅源极电压(VGS)为±30V,适用于多种电源管理和功率控制场合。该器件的导通电阻(RDS(ON))在VGS为10V时为160mΩ,具有良好的导电性能和较低的功耗,电流能力高达20A。K20D60-VB采用了SJ_Multi-EPI技术,确保了出色的电气性能和热稳定性,适合于严苛的工业环境。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A 160mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明:
- **封装类型**: TO220
- **配置**: 单N沟道(Single-N-Channel)
- **漏源极电压(VDS)**: 650V
- **栅源极电压(VGS)**: ±30V
- **阈值电压(Vth)**: 3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**: 160mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**: 20A
- **技术**: SJ_Multi-EPI

领域和模块应用:

应用领域与模块:
1. **高压电源供应器**
K20D60-VB广泛应用于高压电源供应器(如开关电源和逆变器)中,其650V的高击穿电压使其能够处理高压输入,确保电源的稳定性和效率。

2. **工业设备驱动**
在工业控制和驱动电路中,K20D60-VB常被用作功率开关,控制大型电机和负载。其20A的高电流能力可以轻松应对各种负载需求,提供可靠的控制解决方案。

3. **电力电子转换器**
该MOSFET非常适合用于电力电子转换器中,尤其是应用于变频器和直流-直流转换器。其低导通电阻有助于降低开关损耗,提高系统效率。

4. **可再生能源系统**
K20D60-VB在可再生能源系统(如太阳能逆变器)中也表现出色,能够高效转换和管理电能,适应高电压和高电流的工作环境,帮助实现更高的能量转换效率。

总之,K20D60-VB在高电压和高电流应用中表现出色,适合用于多种电源管理、工业控制和可再生能源系统,为用户提供高效、稳定的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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