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K2049-VB 产品详细

产品简介:

一、K2049-VB MOSFET 产品简介
K2049-VB 是一款高性能单通道 N 型 MOSFET,采用 TO220 封装,专为高功率应用设计。该产品具有60V 的漏源极电压(VDS)和±20V 的栅源极电压(VGS),确保其在各种工作条件下的稳定性和可靠性。其开启电压(Vth)为1.7V,能够在低电压条件下启动。K2049-VB 的导通电阻(RDS(ON))在 VGS 为4.5V 时为13mΩ,而在 VGS 为10V 时更低,仅为11mΩ,适合大电流应用,最大连续漏极电流(ID)可达60A。这使得 K2049-VB 特别适用于需要高效能和低损耗的电源管理系统。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 60A 11mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 60A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 60A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
二、K2049-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装形式**:TO220
- **配置**:单通道 N 型 MOSFET
- **漏源极电压(VDS)**:60V
- **栅源极电压(VGS)**:±20V
- **开启电压(Vth)**:1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- VGS = 4.5V 时:13mΩ
- VGS = 10V 时:11mΩ
- **漏极电流(ID)**:60A
- **技术**:Trench
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C
- **功耗**:最大可达 100W(典型)
- **输入电容(Ciss)**:约1500pF(典型)
- **封装引脚**:
- 引脚1:漏极(Drain)
- 引脚2:源极(Source)
- 引脚3:栅极(Gate)

领域和模块应用:

三、K2049-VB 应用领域与模块示例
1. **电源供应模块**:K2049-VB MOSFET 特别适合用于高功率电源供应系统中,如开关电源(SMPS)和不间断电源(UPS)。其低导通电阻特性可显著提高能效,减少热量产生,从而延长设备的使用寿命。

2. **电动机控制**:该 MOSFET 在电动机驱动系统中表现出色,能够处理高达60A 的电流,适合于工业自动化和电动车辆中的电动机控制模块。它能够快速切换,确保电动机在不同工作状态下的高效运行。

3. **电池管理系统(BMS)**:在电池管理系统中,K2049-VB 可用于电池充放电的开关控制,尤其是在锂电池应用中,能够实现精确的电流监控和高效的充电管理,保障电池的安全和性能。

4. **LED驱动电路**:K2049-VB 还适用于LED驱动电路,尤其是在高功率照明应用中。其高电流承载能力和低导通电阻可确保LED灯具的高亮度输出和良好稳定性,适合用于商业和工业照明。

这些应用实例突出了 K2049-VB 在高效能电源管理和大电流开关领域的广泛适用性,满足现代电子设备对功率和效率的严格要求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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