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K1605-VB 产品详细

产品简介:

K1605-VB 产品简介

K1605-VB是一款高压单N沟道MOSFET,采用TO220封装,专为需要高电压和相对较小电流的应用设计。其漏源电压(VDS)可达到600V,栅源电压(VGS)范围为±30V,适合各种高压电源和电流控制电路。该器件的阈值电压(Vth)为3.5V,使其在相对较低的栅源电压下即可导通。K1605-VB在VGS为10V时的导通电阻(RDS(ON))为780mΩ,最大漏电流(ID)可达8A,保证了其在高压应用中的优良性能。其平面技术(Plannar)设计使其在高温和高电流环境下表现出色,广泛应用于工业、汽车和电源管理等领域。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A 780mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **型号**: K1605-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 600V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 1070mΩ @ VGS=4.5V
780mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**: 8A
- **技术**: Plannar

领域和模块应用:

应用领域和模块

K1605-VB因其高压和低导通电阻的特点,广泛应用于多个领域,包括:

1. **电源管理系统**: 该MOSFET适合用于高压开关电源(SMPS)和直流-直流转换器,以提高电源转换效率和系统稳定性,支持高压电源的设计。

2. **工业设备**: 在工业自动化和控制系统中,K1605-VB可用于电机驱动和负载开关控制,能够承受600V的高电压,适合高功率应用。

3. **照明和电源控制**: 在LED驱动电源和照明控制系统中,K1605-VB的高压特性和较低的导通电阻使其能够有效控制高压照明电路,提升系统的能效。

4. **汽车电子**: 该器件广泛应用于汽车的高压电源管理系统和电动驱动应用,确保电气系统的安全性和可靠性,尤其在电动汽车和混合动力汽车中。

5. **电池管理系统**: 在电池管理系统(BMS)中,K1605-VB可用于电池充放电控制和电池组的保护电路,以实现高效能的电能管理和安全监测。

通过这些应用,K1605-VB提供了在高压环境中稳定可靠的解决方案,满足多种工业和消费电子产品的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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