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K15E60U-VB 产品详细

产品简介:

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K15E60U-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,采用TO220封装,旨在满足高电压应用的需求。该器件具有650V的漏源电压(VDS)和±30V的最大栅源电压(VGS),适用于多种电源管理和开关应用。其阈值电压(Vth)为3.5V,确保器件在低栅电压下能可靠工作。具有低导通电阻(RDS(ON)为160mΩ@VGS=10V),该MOSFET能够有效降低能耗,提升系统整体效率,特别适合高功率应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A 160mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明
- **封装**: TO220
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 650V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 160mΩ@VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**: 20A
- **技术**: SJ_Multi-EPI

领域和模块应用:

应用领域与模块
K15E60U-VB在多个领域具有广泛的应用潜力,尤其是在电力电子和工业控制系统中。其高电压能力使其非常适合用于开关电源(SMPS)、逆变器、和DC-DC转换器等电源管理模块。此外,由于其低导通电阻,该MOSFET在电动机驱动和大功率负载控制中同样表现出色,能够有效提高系统的效率与稳定性。

在汽车电子中,K15E60U-VB也适用于电池管理系统(BMS)和功率转换器,以确保在高电压和高负载情况下的可靠性。其可靠的性能和高功率处理能力,使得该器件成为现代电子设备和系统设计中的理想选择,能够满足不断增长的电能效率和可靠性要求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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