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K1301-VB 产品详细

产品简介:

K1301-VB MOSFET 产品简介

**K1301-VB**是一款高效能的单N沟道MOSFET,专为要求高电流和低导通电阻的应用而设计。其漏极-源极电压(VDS)额定为100V,最大漏极电流(ID)为18A。这款MOSFET采用先进的Trench技术,显著降低了导通电阻(RDS(ON)),在VGS=10V时仅为127mΩ,确保在高功率和高效率的应用中表现卓越。K1301-VB封装形式为TO220,具有良好的热管理能力和可靠性,广泛应用于电源管理、电动机驱动和各种功率转换模块。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 100V 1.8V 18A 127mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 100V 1.8V 18A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 100V 1.8V 18A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
K1301-VB 的详细参数说明

- **封装类型**:TO220
- **配置**:单N沟道MOSFET
- **漏极-源极电压(VDS)**:100V
- **栅极-源极电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:1.8V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- **@VGS=10V**:127mΩ
- **漏极电流(ID)**:18A
- **技术类型**:Trench技术
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C
- **功率耗散(PD)**:取决于散热条件,通常可在数十瓦级别
- **栅极电荷(Qg)**:该参数影响开关速度,具体值需参考详细数据手册。

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领域和模块应用:

适用领域和模块举例

1. **开关电源(SMPS)**:
K1301-VB在**开关模式电源**中得到了广泛应用,其低导通电阻和高电流处理能力使其成为高效电源转换中的理想选择,特别适合于**服务器电源、工业电源和消费电子产品**。

2. **直流电机驱动**:
由于K1301-VB能够承受高达18A的漏极电流,这使其非常适合用于**电动机驱动**,例如**家电电机、自动化设备和电动工具**,提供平稳而强劲的电力输出。

3. **DC-DC转换器**:
在**DC-DC转换器**中,K1301-VB可以高效地实现电压转换,广泛应用于**电源适配器、便携式设备和电池管理系统**中,确保系统稳定可靠的供电。

4. **光伏逆变器**:
在光伏发电系统中,该MOSFET的高效性能非常适合用作**逆变器中的开关元件**,能够实现光伏能量的高效转换,支持家庭和商业光伏系统的应用。

5. **电池管理系统**:
K1301-VB也适用于电池管理系统中,能够提供精确的电流监测和控制,帮助延长电池寿命并提高整体系统的安全性和效率。

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**总结**:K1301-VB凭借其低导通电阻、高电流能力以及良好的散热性能,成为多种高效功率管理应用中的首选,适用于开关电源、直流电机控制、DC-DC转换器及光伏逆变器等多个领域。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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