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K12E60W-VB 产品详细

产品简介:

K12E60W-VB MOSFET产品简介

K12E60W-VB是一款高电压单N沟道MOSFET,采用TO220封装,设计用于需要高电压和中等电流的应用。其最大漏源极电压(VDS)为650V,栅极电压(VGS)可达到±30V,具有较高的阈值电压(Vth)为3.5V。这款器件在VGS为10V时,其导通电阻(RDS(ON))为220mΩ,最大漏极电流(ID)为15A。采用SJ_Multi-EPI技术,该MOSFET在保持高性能的同时,确保了低导通损耗和优异的热管理,适用于各种高效率电源和开关电路。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 15A 220mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 15A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 15A SJ_Multi-EPI
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
K12E60W-VB详细参数说明

- **封装类型**: TO220
- **配置**: 单N沟道MOSFET
- **漏源极电压 (VDS)**: 650V
- **栅极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 220mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 15A
- **技术**: SJ_Multi-EPI

领域和模块应用:

K12E60W-VB应用领域及模块举例

1. **高压开关电源 (SMPS)**: K12E60W-VB非常适合用于高压开关模式电源中,能够有效降低开关损耗,提高能效,广泛应用于电源适配器、电视机电源和工业电源系统等领域。

2. **逆变器**: 由于其650V的高耐压特性,该MOSFET可在光伏逆变器中作为关键的开关元件,实现高效的直流转交流电的转换,适用于太阳能发电系统和风能发电系统。

3. **电机控制**: K12E60W-VB在电机驱动电路中同样表现出色,能够处理较高的电压和电流,适合用于电动汽车和工业自动化中的电机控制应用,确保系统的稳定性和高效性。

4. **电源管理系统 (BMS)**: 在电池管理系统中,该MOSFET可用于控制电池的充放电过程,提供有效的电流管理,提升电池的安全性和寿命,适合电动汽车和储能系统。

5. **照明驱动**: K12E60W-VB可用于LED照明驱动电路,支持高电压应用,确保在不同负载条件下提供稳定的电流和电压,适用于商业和住宅照明解决方案。

K12E60W-VB凭借其高压、高效能的特点,广泛应用于电力电子行业,特别是在高效率电源、逆变器和电机驱动系统中,满足各种高性能要求的应用需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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