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K1221-VB 产品详细

产品简介:

K1221-VB MOSFET 产品简介

**K1221-VB**是一款高性能单N沟道MOSFET,专为中等电压和电流应用设计。该器件的漏极-源极电压(VDS)额定为250V,最大漏极电流(ID)可达14A,采用Trench技术,具有优越的导通性能和热稳定性。K1221-VB的导通电阻(RDS(ON))在VGS=10V时仅为190mΩ,能够有效降低功耗,提高系统的能效。它适合于各种电源管理和开关应用,为电子设备提供可靠的电流控制和转换。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 250V 3.5V 14A 190mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 250V 3.5V 14A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 250V 3.5V 14A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
K1221-VB 的详细参数说明

- **配置**:单N沟道MOSFET
- **漏极-源极电压(VDS)**:250V
- **栅极-源极电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- **@VGS=10V**:190mΩ
- **漏极电流(ID)**:14A
- **技术**:Trench
- **封装**:TO220
- **工作温度范围**:一般为-55°C至150°C(具体取决于制造商的详细信息)
- **功耗(PD)**:依据TO220封装的限制,需进一步确认。

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领域和模块应用:

适用领域和示例

1. **开关电源(SMPS)**:
K1221-VB广泛应用于**开关电源设计**,其250V的高压额定值和低导通电阻使其能够有效地控制电流,提供高效的电力转换,特别适用于工业电源和通信设备的电源管理。

2. **电机驱动**:
由于其高电流承载能力,K1221-VB非常适合于**电动机控制**应用,包括步进电机和直流电机驱动,在自动化设备和电动工具中可以实现平稳的电流控制和高效驱动。

3. **LED照明**:
此MOSFET在**LED驱动电源**中也表现出色,能够在低功耗下驱动LED,适用于智能照明系统,有助于提高整体能效和延长LED灯具的使用寿命。

4. **电源管理模块**:
K1221-VB可作为**DC-DC转换器**的开关元件,能够在不同电压范围内稳定输出,确保电子设备的正常运行,特别是在笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备中。

5. **消费电子产品**:
在各种消费电子设备中,K1221-VB能够提供高效的功率管理,确保设备在高负载条件下的稳定运行,广泛应用于家庭电器和个人电子产品。

综上所述,**K1221-VB**凭借其高效的电气性能和广泛的应用范围,成为电源管理和开关电路中的理想选择,为各种工业和消费电子设备提供了可靠的支持。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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