K1160-VB - VBsemi MOS管制造商

K1160-VB 产品详细

描述
参数
应用
技术支持

产品简介：

K1160-VB 产品简介

K1160-VB 是一款高效的单 N 沟道 MOSFET，采用 TO220 封装，专为高电压和高电流应用设计。其最大漏源电压 (VDS) 可达 650V，使其适合用于各种高压电源管理系统。该 MOSFET 的门限电压 (Vth) 为 3.5V，能够在较低的栅源电压下迅速导通，提升开关速度，适应高频率的应用需求。K1160-VB 的导通电阻 (RDS(ON)) 在 VGS 为 10V 时为 500mΩ，支持最高 9A 的漏极电流 (ID)，确保其在高功率设备中有优异的性能表现。其 SJ_Multi-EPI 技术进一步提高了其效率和可靠性，使其在各种电力电子应用中都能表现出色。

---

文件下载

下载PDF 文档

立即下载

点击查看大图

产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	650V		3.5V	9A			500mΩ	SJ_Multi-EPI

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						SJ_Multi-EPI

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	650V		3.5V	9A		SJ_Multi-EPI

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	650V		3.5V	9A		SJ_Multi-EPI

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-N

详细参数说明

- **型号**: K1160-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单 N 沟道 MOSFET
- **漏源电压 (VDS)**: 650V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **门限电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 500mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 9A
- **技术类型**: SJ_Multi-EPI
- **最大功耗 (PD)**: 70W
- **热阻 (RθJC)**: 2.5°C/W
- **工作温度范围**: -55°C 至 150°C

---

领域和模块应用：

应用领域与模块说明

1. **开关电源**: K1160-VB 被广泛应用于开关电源 (SMPS) 中，能够在高电压和高电流环境下工作，提供高效率的电能转换，适合用于计算机电源和工业电源模块中。

2. **电机驱动**: 该 MOSFET 可用于电动机控制和驱动电路，尤其适合在电动工具、家用电器和电动车辆中使用，支持平稳的电流输出和高效能。

3. **逆变器**: K1160-VB 适用于太阳能逆变器和其他可再生能源系统，可高效地将直流电转换为交流电，优化电能的利用，尤其在高压应用中表现出色。

4. **高频开关电路**: 由于其低导通电阻和快速开关特性，K1160-VB 适合于高频开关应用，广泛应用于通信设备和高效能计算机系统，确保快速响应和高效能。

5. **LED 驱动电路**: K1160-VB 可以用于高功率 LED 驱动电路，提供稳定的电流输出，以确保 LED 照明的亮度和一致性，适合商业和工业照明解决方案。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

推广型号

K1160-VB 产品详细

产品简介：

文件下载

下载PDF 文档

产品参数：

领域和模块应用：

技术支持：

打样申请

QQ咨询

电话咨询

微信咨询

一键置顶