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K1157-VB 产品详细

产品简介:

K1157-VB MOSFET 产品简介:

**K1157-VB**是一款高性能的单N沟道MOSFET,特别设计用于高压和高电流应用,具有500V的漏极-源极电压(VDS)和最大13A的漏极电流(ID)。该器件采用Plannar技术,具有较低的660mΩ导通电阻(RDS(ON)@VGS=10V),在高效开关和电力管理应用中表现出色。K1157-VB的栅极-源极电压(VGS)额定为±30V,广泛适用于各种电源和驱动模块,确保可靠的工作性能。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 500V 3.1V 13A 660mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 500V 3.1V 13A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 500V 3.1V 13A Plannar
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
K1157-VB 的详细参数说明:

- **配置**:单N沟道MOSFET
- **漏极-源极电压(VDS)**:500V
- **栅极-源极电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3.1V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- **@VGS=10V**:660mΩ
- **漏极电流(ID)**:13A
- **技术**:Plannar
- **封装**:TO220
- **工作温度范围**:一般为-55°C至150°C(具体取决于制造商的详细信息)
- **功耗(PD)**:依据TO220封装的限制,需进一步确认。

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领域和模块应用:

适用领域和示例:

1. **高压开关电源(SMPS)**:
K1157-VB非常适合在高压开关电源设计中使用,能够承受500V的高电压,提供高效能和稳定性,广泛应用于计算机电源、通信设备和工业电源模块中。

2. **电机驱动控制**:
此MOSFET可用于**电动机控制**应用,尤其是在工业自动化和家用电器中的直流电机和步进电机驱动,通过其高电流处理能力,确保电机稳定运行,提升能效。

3. **LED照明驱动**:
K1157-VB在**LED驱动**系统中同样表现优异,其低导通电阻可有效减少功耗,提高LED的驱动效率,适合于各种照明产品及智能照明系统。

4. **电源管理与转换器**:
在**电源管理**应用中,K1157-VB可以作为高压开关,广泛应用于电池充放电管理和DC-DC转换器,尤其在电动汽车和可再生能源领域的能量转换过程中表现出色。

5. **逆变器系统**:
K1157-VB也适用于**逆变器**应用中,能够在高电压环境下稳定工作,特别适合太阳能逆变器和风能发电系统,帮助实现高效能量转换。

综上所述,**K1157-VB**是一款高效的N沟道MOSFET,凭借其卓越的电气性能和广泛的应用领域,成为电源管理和开关电路中的理想选择,为多种工业和消费电子设备提供了强大的支持。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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