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K1156-VB 产品详细

产品简介:

一、K1156-VB 产品简介
K1156-VB 是一款高性能的单 N-沟道 MOSFET,专为高电压应用设计,最大漏源极电压 (VDS) 可达600V,适用于各种电源管理和控制电路。该器件采用 TO220 封装,具备良好的散热性能,适合在要求较高的环境中运行。K1156-VB 的阈值电压 (Vth) 为3.5V,导通电阻 (RDS(ON)) 在10V栅压下为780mΩ,在4.5V栅压下为1070mΩ,确保在低功耗情况下的高效能运行。该 MOSFET 采用平面技术(Plannar),其可靠性和稳定性使其成为多种工业和商业应用的理想选择。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A 780mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
二、K1156-VB 详细参数说明

| 参数 | 数值 |
| ------------------------ | ---------------------- |
| **型号** | K1156-VB |
| **封装类型** | TO220 |
| **配置** | 单 N-沟道 |
| **最大漏源电压 (VDS)** | 600V |
| **最大栅源电压 (VGS)** | ±30V |
| **阈值电压 (Vth)** | 3.5V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 1070mΩ @ VGS=4.5V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 780mΩ @ VGS=10V |
| **最大漏极电流 (ID)** | 8A |
| **技术类型** | Plannar |
| **工作温度范围** | -55°C 至 150°C |

领域和模块应用:

三、适用领域和模块举例

1. **开关电源**
K1156-VB 非常适合用于开关电源设计,能够在高达600V的输入电压下安全运行。其低导通电阻确保在开关转换过程中能够降低能量损耗,从而提高电源的效率。该 MOSFET 可广泛应用于电源适配器、充电器和其他电源模块中。

2. **高压照明系统**
在高压照明应用中,K1156-VB 能够高效控制照明设备的电流,确保在长时间运行下的稳定性。该器件能够承受高电压,使其成为工业照明和户外照明解决方案的理想选择。

3. **电机驱动控制**
该 MOSFET 适用于电动机驱动控制系统,特别是在要求高电压和中等电流的应用中。其良好的开关性能和耐高压特性,使其能够在电机的启停、调速及反转过程中提供可靠的控制,广泛应用于家电和工业设备中。

4. **逆变器和变频器**
K1156-VB 在逆变器和变频器应用中同样表现优异,尤其是在可再生能源系统,如太阳能逆变器和风能系统中。该器件的高耐压性能确保在高负载条件下的稳定运行,提高能量转换效率。

5. **汽车电子**
在汽车电子领域,K1156-VB 可用于电源管理和控制电路,例如电动助力转向和车载电源转换模块。其高可靠性和耐高温性能使其能够满足汽车在苛刻环境下的工作要求,确保系统的长期稳定性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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