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K1098-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**K1098-VB** 是一款高性能 N 通道 MOSFET,采用 TO220 封装,专为高压和中等功率应用设计。其具备高达 200V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的最大栅源电压 (VGS),能够在多种电源管理和开关应用中可靠运行。该型号的阈值电压 (Vth) 为 3V,确保了在较低的栅电压下能够有效导通。K1098-VB 的导通电阻 RDS(ON) 为 310mΩ(在 VGS = 4.5V 时)和 270mΩ(在 VGS = 10V 时),显著降低了功耗,提升了整体效率。这使得 K1098-VB 成为电源转换和驱动应用中的理想选择,能够满足现代电子设备对性能和可靠性的严格要求。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 10A 270mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 10A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 10A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **型号**: K1098-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单一 N 通道
- **VDS(漏源电压)**: 200V
- **VGS(栅源电压)**: ±20V
- **Vth(阈值电压)**: 3V
- **RDS(ON)**:
- 310mΩ (在 VGS = 4.5V 时)
- 270mΩ (在 VGS = 10V 时)
- **ID(漏电流)**: 10A
- **技术**: 沟槽技术(Trench)

领域和模块应用:

应用领域及模块示例

1. **开关电源**: K1098-VB 非常适合用于开关电源(SMPS)设计。其高电压承受能力和低导通电阻特性使得在高效能电源转换中显著降低了能量损耗,提升了系统的整体效率。

2. **电机控制**: 由于其高达 10A 的漏电流能力,该 MOSFET 可以应用于电机驱动电路,广泛用于电动工具、电动车辆和家用电器中,提供可靠的电流控制和高效的电机驱动。

3. **LED 驱动器**: K1098-VB 在高功率 LED 照明系统中表现出色。它能够高效驱动 LED 组件,确保系统的高亮度和长使用寿命,同时降低功耗。

4. **电源管理 IC**: 在电源管理集成电路中,该 MOSFET 可作为开关元件,适用于电池充电、能量转换和电源分配等功能,满足便携式和嵌入式设备的需求。

5. **汽车电子**: K1098-VB 的高电压和高电流能力使其适合用于汽车电子应用,包括动力管理和电动助力转向系统,确保在恶劣环境下的可靠性与稳定性。

综上所述,K1098-VB 是一款多功能的 N 通道 MOSFET,适用于多种高压和中等功率应用,满足现代电子设计中对高效能和可靠性的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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