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K1007-01-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**K1007-01-VB** 是一款高性能 N 通道 MOSFET,采用 TO220 封装,专为高电压和高电流应用设计。该型号具备高达 600V 的漏源电压 (VDS) 和 ±30V 的最大栅源电压 (VGS),使其能够在严苛环境下稳定工作。其阈值电压 (Vth) 为 3.5V,具有低导通电阻 RDS(ON) 值,分别为 1070mΩ(在 VGS = 4.5V 时)和 780mΩ(在 VGS = 10V 时),保证在高电流条件下的高效能与低功耗表现。这使得 K1007-01-VB 成为高效能电源管理和功率转换设计的理想选择。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A 780mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 600V 3.5V 8A Plannar
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **型号**: K1007-01-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单一 N 通道
- **VDS(漏源电压)**: 600V
- **VGS(栅源电压)**: ±30V
- **Vth(阈值电压)**: 3.5V
- **RDS(ON)**:
- 1070mΩ (在 VGS = 4.5V 时)
- 780mΩ (在 VGS = 10V 时)
- **ID(漏电流)**: 8A
- **技术**: 平面技术(Planar)

领域和模块应用:

应用领域及模块示例

1. **开关电源(SMPS)**: K1007-01-VB 在高压开关电源应用中表现卓越,能够高效地进行电能转换,适合用于计算机电源、工业电源等多个领域,减少能量损耗。

2. **电机驱动**: 该 MOSFET 可以处理高达 8A 的漏电流,适合电机驱动应用,包括电动工具和家电电机控制,为电机提供可靠的开关解决方案,支持平稳的启动和停止过程。

3. **LED 照明控制**: K1007-01-VB 的低 RDS(ON) 值使其成为 LED 驱动电路的理想选择,能有效提升能效,延长 LED 的使用寿命,优化整体照明系统性能。

4. **电源管理 IC**: 在电源管理集成电路中,该 MOSFET 可用作开关元件,支持高效能的电池充电、能量转换和电源分配,满足现代电子产品对电源效率的要求。

5. **汽车电子应用**: K1007-01-VB 由于其高电压和高电流特性,非常适合应用于汽车电子系统,如电动助力转向、动力管理和各类传感器驱动,满足现代汽车对电源稳定性和可靠性的需求。

通过以上应用领域的示例,可以看出 K1007-01-VB 在现代电源管理和高效能电路设计中的重要性,为多种应用提供了可靠且高效的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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