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K0365-VB 产品详细

产品简介:

K0365-VB MOSFET 产品简介

**K0365-VB** 是一款高性能的 N 型 MOSFET,采用 DFN8(5x6) 封装,专为低电压、高电流应用而设计。该器件能够承受最大 30V 的漏源电压,最大栅源电压(VGS)为 ±20V,确保其在多种电气环境下的安全性和稳定性。K0365-VB 的导通电阻(RDS(ON))在 VGS=10V 时为 7mΩ,展现出优异的导电性能和低功耗特性,适合于需要高效率的电子电路。采用 Trench 技术,该 MOSFET 还具有良好的热管理能力和高可靠性,广泛应用于各种电力电子设备和模块中。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 80A 7mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 80A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 80A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-N
详细参数说明

1. **封装**: DFN8(5x6)
- DFN8(5x6) 封装形式,具有紧凑的尺寸和良好的散热性能,适合高功率密度的应用。

2. **配置**: 单个 N 型通道
- 单通道设计优化了电流导通效率,适合多种电力电子电路。

3. **漏源电压 (VDS)**: 30V
- 最大漏源电压,确保器件能够在低压电路中安全工作,适合多种低压应用场合。

4. **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- 器件的栅极和源极之间的最大允许电压,确保安全操作,降低故障风险。

5. **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- 器件导通所需的最小栅极电压,确保开关特性良好,适合多种控制电路。

6. **导通电阻 (RDS(ON))**:
- @ VGS = 10V 时为 7mΩ
- @ VGS = 4.5V 时为 9mΩ
- 较低的导通电阻提高了电能传输效率,适合高效能量转换应用。

7. **电流额定值 (ID)**: 80A
- 器件在正常工作条件下的最大连续电流,确保在多种应用中能够稳定工作。

8. **技术**: Trench
- Trench 技术提高了器件的性能与可靠性,适合于低压和高电流应用环境。

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领域和模块应用:

应用示例

1. **电源管理**:
K0365-VB 可广泛应用于开关电源设计,能够在低电压下高效地转换电能,提供优良的能量效率,适合用于电源适配器、充电器和其他电力管理模块。

2. **电动工具**:
该 MOSFET 适合用于电动工具中的电机驱动电路,能够有效控制电动机的起停和调速,提供高效的性能和较长的电池使用寿命。

3. **LED 驱动**:
K0365-VB 可用于 LED 照明驱动电路,能够实现高效的 LED 控制,适用于各类商业和家庭照明系统,确保高亮度和长寿命。

4. **智能家居设备**:
由于其高效的电能转换特性,该器件还适合用于智能家居设备中,如智能插座、照明控制模块等,提升设备的能效和可靠性。

综上所述,K0365-VB 是一款高效能的 N 型 MOSFET,具备低电压、低导通电阻和高电流承载能力,适合于多种电力电子应用,能够有效满足现代电子设备对高性能和高可靠性的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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