J543-VB - VBsemi MOS管制造商

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J530STL-E-VB 产品简介

J530STL-E-VB 是一款高性能的单极性 P 型 MOSFET，采用 TO252 封装，专为中等电压和高电流应用设计。该器件能够承受高达 -60V 的漏源电压，结合 Trench 技术，提供优越的导电性能和低导通电阻。J530STL-E-VB 适用于多种电源管理和负载开关应用，确保在高负载条件下的稳定性和可靠性。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-P	-60V		-1.7V	-45A			48mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-P						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-P	-60V		-1.7V	-45A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-P	-60V		-1.7V	-45A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-P

详细参数说明

- **型号**: J530STL-E-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单极性 P 型
- **漏源电压 (VDS)**: -60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 72mΩ @ VGS = 4.5V
- 61mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**: -30A
- **技术**: Trench

领域和模块应用：

应用领域和模块

J530STL-E-VB 在多个领域具有广泛的应用。例如，在电源管理系统中，该 MOSFET 适用于开关电源和 DC-DC 转换器，能够在中等电压下实现高效能和低能耗。作为负载开关，J530STL-E-VB 在家用电器和工业设备中表现优异，支持快速电流切换，提高设备的响应能力。此外，该器件也适合用于电动机驱动和高功率应用，确保在高负载条件下的稳定运行。总之，J530STL-E-VB 是高效和可靠性应用中的理想选择。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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