J172-VB - VBsemi MOS管制造商

J172-VB 产品详细

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产品简介：

产品简介
J172-VB是一款高性能P沟道MOSFET，具有-60V的VDS和±20V的VGS，采用TO220封装。该器件采用Trench技术，具备优良的开关特性和低导通电阻（RDS(ON)为74mΩ@VGS=4.5V和62mΩ@VGS=10V），非常适合中高功率应用，能够在高效能电源管理和开关应用中表现出色。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-P	-60V		-1.7V	-40A			62mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-P						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-P	-60V		-1.7V	-40A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-P	-60V		-1.7V	-40A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-P

参数说明
- **型号**：J172-VB
- **封装**：TO220
- **配置**：单个P沟道
- **VDS**：-60V
- **VGS**：±20V
- **Vth**：-1.7V
- **RDS(ON)**：74mΩ @ VGS=4.5V
- **RDS(ON)**：62mΩ @ VGS=10V
- **ID**：-40A
- **技术**：Trench

领域和模块应用：

应用领域和模块
J172-VB广泛应用于电源管理、直流-直流转换器和电动汽车驱动系统等领域。它在负载开关、逆变器和电池管理系统中发挥着重要作用，能够有效控制高电流流动。由于其低导通电阻和高效性能，这款MOSFET非常适合用于需要高效电源转换的场合，确保系统的稳定性和可靠性。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

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