J134-VB - VBsemi MOS管制造商

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J134-VB是一款高性能P沟道MOSFET，采用TO220封装，专为低电压应用设计。这款器件以其优异的导通特性和低导通电阻而著称，适合用于高效电源管理和开关应用，尤其是在需要高可靠性的环境中。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-P	-100V		-2V	-18A			167mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-P						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-P	-100V		-2V	-18A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-P	-100V		-2V	-18A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-P

详细参数说明
- **封装**：TO220
- **配置**：Single-P-Channel
- **VDS**：-100V
- **VGS**：±20V
- **Vth**：-2V
- **RDS(ON)**：
- 178mΩ（@VGS=4.5V）
- 167mΩ（@VGS=10V）
- **ID**：-18A
- **技术**：Trench

领域和模块应用：

应用领域与模块
J134-VB广泛应用于开关电源、DC-DC转换器和电池管理系统等领域。其低导通电阻使其在电源管理应用中能够有效降低功耗，提高能效。此外，这款MOSFET在消费电子、汽车电子及工业控制设备中也表现出色，特别是在需要高效功率开关的场合，能够确保系统的稳定性和可靠性。J134-VB能够在多种应用中提供卓越的性能，适应不同的工作条件。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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