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IXTP7N45-VB 产品详细

产品简介:

产品简介:IXTP7N45-VB

IXTP7N45-VB是一款高压N沟道MOSFET,采用TO220封装,专为高电压应用设计。其最大漏源电压(VDS)为500V,漏电流(ID)可达13A,导通电阻(RDS(ON))在VGS为10V时为660mΩ。该MOSFET采用平面技术,适合用于需要高耐压和稳定性的电源管理及驱动应用,能够有效处理高电压环境下的电流。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 500V 3.1V 13A 660mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 500V 3.1V 13A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 500V 3.1V 13A Plannar
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **型号**:IXTP7N45-VB
- **封装**:TO220
- **配置**:单极N沟道
- **最大漏源电压(VDS)**:500V
- **栅源电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3.1V
- **导通电阻(RDS(ON))**:660mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流(ID)**:13A
- **技术**:平面技术(Plannar)

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

1. **高压电源转换器**:
IXTP7N45-VB非常适合用于高压DC-DC转换器,尤其是在需要500V电压处理的应用中,能够提供高效的电能转换,确保在高电压条件下的稳定运行。

2. **工业设备驱动**:
该MOSFET广泛应用于各种工业设备中,能够驱动高压电机和泵,确保电机在高电压条件下平稳运行,适合用于自动化设备和控制系统。

3. **逆变器**:
IXTP7N45-VB在光伏逆变器和其他类型的逆变器中表现优异,能够高效地将直流电转换为交流电,适合可再生能源系统和电力电子设备。

4. **高压开关电路**:
在需要高电压开关控制的电路中,IXTP7N45-VB可作为关键开关元件,确保高电压下的可靠性和稳定性,广泛应用于电力系统和电气控制设备。

通过这些应用,IXTP7N45-VB展现了其在高电压和高电流处理中的卓越性能,为各类高压电子系统提供高效、可靠的功率管理解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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