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IXTP180N10T-VB 产品详细

产品简介:

1. 产品简介:

IXTP180N10T-VB 是一款高性能的N沟道MOSFET,采用TO-220封装,专为高电流和中等电压应用而设计。该器件具有100V的漏源电压(VDS),在20V的栅源电压(VGS)下可实现高达180A的漏极电流(ID)。其阈值电压(Vth)为3V,确保在较低的栅驱动电压下迅速导通。IXTP180N10T-VB 的导通电阻(RDS(ON))在VGS=10V时为仅3mΩ,极大地降低了在高电流条件下的功耗和热量产生,提升了系统的效率和可靠性。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 100V 3V 180A 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 100V 3V 180A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 100V 3V 180A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
2. 详细参数说明:

- **封装类型**:TO-220
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压(VDS)**:100V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:3V
- **导通电阻(RDS(ON))**:3mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID)**:180A
- **技术类型**:沟槽(Trench)

领域和模块应用:

3. 应用领域与模块举例:

1. **电源管理和转换**:
IXTP180N10T-VB 广泛应用于高效能的开关电源和DC-DC转换器中,尤其是在高电流应用中。其超低导通电阻确保在高负载情况下的低能耗,提高了电源系统的整体效率。

2. **电动汽车和混合动力车辆**:
该MOSFET 是电动汽车电机控制和动力管理系统中的重要组件,能够处理高电流并提供快速响应,确保在动态负载变化下的高效控制和稳定性。

3. **电池管理系统(BMS)**:
在电池管理系统中,IXTP180N10T-VB 被用作充放电控制,以提高电池充电和放电效率,确保电池在安全范围内运行,延长使用寿命。

4. **LED驱动和照明**:
IXTP180N10T-VB 也适用于大功率LED照明驱动模块,能够实现高效能的开关控制,降低热损失,保证LED灯的长期稳定运行。

通过这些例子,IXTP180N10T-VB 展示出其在多个高电流应用领域的广泛适用性,尤其是在电源管理、电动驱动和照明系统中的关键角色。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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