IXTP02N50D-VB - VBsemi MOS管制造商

IXTP02N50D-VB 产品详细

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IXTP02N50D-VB 产品简介

IXTP02N50D-VB 是一款高压 N 型 MOSFET，采用 TO220 封装，专为高电压应用设计。其能够承受高达 650V 的漏极-源极电压，最大漏极电流为 2A，适合在各种功率管理和电源转换应用中使用。该器件采用平面技术 (Plannar)，具有较高的耐压和适度的导通电阻，适合于需要高可靠性的电力电子设备。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	650V		3.5V	2A			3120mΩ	Plannar

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						Plannar

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	650V		3.5V	2A		Plannar

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	650V		3.5V	2A		Plannar

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-N

详细参数说明

- **型号**: IXTP02N50D-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单 N 型通道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 650V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3900mΩ @ VGS=4.5V
- 3120mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 2A
- **技术**: 平面技术 (Plannar)

领域和模块应用：

应用领域与模块示例

1. **开关电源**: IXTP02N50D-VB 在开关电源设计中非常适用，能够在高压环境下稳定工作，适合用于 AC-DC 转换器和 DC-DC 转换器中，有效提升能效。

2. **逆变器**: 该 MOSFET 适用于太阳能逆变器和其他电力逆变器，通过其高压特性，确保系统在高电压操作下的可靠性。

3. **高压电机驱动**: 在高压电机控制应用中，IXTP02N50D-VB 可以用于电机驱动电路，支持高电压和适度电流需求，适合于工业自动化设备。

4. **电源适配器**: 该型号也适合于高压电源适配器的设计，能够提供稳定的电压输出，确保电力供应的安全性和可靠性。

通过以上性能与应用领域的结合，IXTP02N50D-VB 是高压应用中理想的选择，能够满足多种电力电子设备的需求。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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