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ISL9N310AS3-VB 产品详细

产品简介:

ISL9N310AS3-VB MOSFET 产品简介:

ISL9N310AS3-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用 TO220 封装,专为低电压和高电流应用设计。该器件的漏极-源极电压 (VDS) 高达 30V,适用于多种电源管理和开关应用。其栅极-源极电压可达到 ±20V,栅极开启电压 (Vth) 为 1.7V,确保能够在低电压驱动条件下正常工作。ISL9N310AS3-VB 采用先进的沟槽技术 (Trench Technology),具有低导通电阻(RDS(ON)),在 VGS=4.5V 时为 10mΩ,而在 VGS=10V 时为 7mΩ,能够处理高达 70A 的漏极电流,适合高效电源转换和电机控制。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 70A 7mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 70A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 70A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
ISL9N310AS3-VB 参数说明:

- **封装类型**:TO220
- **配置**:单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**:30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**:±20V
- **栅极开启电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 10mΩ @ VGS=4.5V
- 7mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**:70A
- **技术**:沟槽技术(Trench)

领域和模块应用:

应用领域和模块举例:

1. **电源管理**:ISL9N310AS3-VB 在 DC-DC 转换器和 AC-DC 电源适配器中具有广泛应用,能够实现高效的电源转换,降低能量损耗,适用于高功率电源系统。

2. **电机驱动**:该 MOSFET 可用于工业电机控制和电动工具的驱动电路,支持高电流开关操作,提高电机的启动和运行效率。

3. **汽车电子**:在汽车电子系统中,如电池管理系统(BMS)和电动助力转向(EPS),ISL9N310AS3-VB 能够在苛刻环境下保持高可靠性和稳定性。

4. **消费电子**:适用于高功率消费类电子设备,例如不间断电源(UPS)和高功率充电器,通过低导通电阻提升整体能效,降低发热。

5. **工业自动化**:在工业自动化设备中,如可编程逻辑控制器(PLC)和电源控制模块,ISL9N310AS3-VB 能够提供快速开关和信号转换,确保系统的快速响应和可靠运行。

ISL9N310AS3-VB 的高电流承载能力和低功耗特性使其成为多个应用领域中的理想选择,能够满足现代电子设备对性能和效率的严格要求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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