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IRLHS6342TRPBF-VB 产品详细

产品简介:

1. 产品简介:
IRLHS6342TRPBF-VB 是一款高效单 N 沟道 MOSFET,封装形式为 DFN6(2X2),具有紧凑的尺寸和出色的散热性能。采用 Trench 技术,这款 MOSFET 提供了相对较低的导通电阻和良好的电流承载能力,特别适用于低到中电压的应用。其漏极-源极耐压(VDS)为 30V,漏极电流能力(ID)为 6A。IRLHS6342TRPBF-VB 的低导通电阻和紧凑封装使其非常适合用于要求高效开关控制和节省空间的应用场景。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN6(2X2) Single-N 30V 1.7V 6A 23mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN6(2X2) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN6(2X2) Single-N 30V 1.7V 6A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN6(2X2) Single-N 30V 1.7V 6A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN6(2X2) Single-N
2. 详细参数说明:
- **型号**: IRLHS6342TRPBF-VB
- **封装类型**: DFN6(2X2)
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 27mΩ @ VGS=4.5V
- 23mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 6A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

3. 应用领域和模块:
- **便携式电子设备**:IRLHS6342TRPBF-VB 的紧凑封装(DFN6(2X2))和相对较低的导通电阻使其非常适合用于便携式电子设备,如智能手机、平板电脑和便携式电池供电设备。这款 MOSFET 能够提供高效的开关控制,同时节省板上空间,满足现代便携式设备的设计需求。

- **小型电源管理系统**:在小型电源管理系统中,该 MOSFET 可以用于 DC-DC 转换器和电源开关应用。其低导通电阻(23mΩ @ VGS=10V)和较高的电流能力(6A)使其适用于对效率和功率管理有要求的系统。

- **LED 驱动电路**:IRLHS6342TRPBF-VB 适用于 LED 驱动电路,能够有效控制 LED 的电流。其低导通电阻和紧凑封装使其能够在有限的空间内提供稳定的电流控制,适合用于各种照明应用。

- **计算机和通信设备**:该 MOSFET 也可以用于计算机和通信设备中的开关电路和电源管理模块。其低 RDS(ON) 和高效性能确保在高速开关操作中保持稳定,适用于需要高性能开关的通信和计算应用。

IRLHS6342TRPBF-VB 的高性能和紧凑设计使其在多种应用场景中表现出色,特别是在空间有限和高效能要求的电子设备中。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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