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IRLD014PBF-VB 产品详细

产品简介:

一、IRLD014PBF-VB 产品简介
IRLD014PBF-VB 是一款高性能N沟道MOSFET,封装为DIP8,基于Trench技术设计。该MOSFET具有60V的漏极-源极电压(VDS)和±20V的栅极-源极电压(VGS),适用于中低功率的开关和放大应用。门槛电压(Vth)范围为1V至3V,使其在低电压控制下也能有效工作。该器件的导通电阻(RDS(ON))为120mΩ@VGS=4.5V和100mΩ@VGS=10V,最大漏极电流(ID)为2.5A。IRLD014PBF-VB 提供了良好的开关特性和较低的导通损耗,是各种中小功率应用的理想选择。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DIP8 Single-N 60V 1~3V 2.5A 100mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DIP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DIP8 Single-N 60V 1~3V 2.5A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DIP8 Single-N 60V 1~3V 2.5A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DIP8 Single-N
二、IRLD014PBF-VB 参数说明
- **封装**:DIP8
- **极性**:单N沟道
- **漏极-源极电压(VDS)**:60V
- **栅极-源极电压(VGS)**:±20V
- **门槛电压(Vth)**:1V 至 3V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 120mΩ @ VGS=4.5V
- 100mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**:2.5A
- **技术**:Trench
- **最大功率耗散**:1.6W
- **开关速度**:具有较快的开关特性,适合中频应用。
- **工作温度范围**:-55°C 至 175°C

领域和模块应用:

三、IRLD014PBF-VB 应用领域与模块举例
1. **开关电源和小功率电源管理**
IRLD014PBF-VB 的低导通电阻和良好的开关特性使其非常适合用于小功率DC-DC变换器、电源开关和功率调节电路。它能够提供高效的开关控制,适合于电源适配器、LED驱动器以及小型电源模块中。

2. **电机驱动与控制**
在电机驱动应用中,IRLD014PBF-VB 能够胜任低功率电机的控制。其适用于步进电机驱动器、直流电机控制模块等设备,提供稳定的电流传输和开关性能,用于控制电机的启动、停止和调速。

3. **负载开关与保护电路**
该MOSFET 可以用于负载开关和保护电路,如开关控制的负载、过流保护和过热保护等应用。其较低的导通电阻有助于减少开关损耗,适用于各种小型家电、通信设备和消费电子中的保护和开关功能。

4. **模拟信号放大与开关**
IRLD014PBF-VB 的低门槛电压和快速开关特性使其在模拟信号放大和开关应用中表现优异。它适合用于音频放大器、信号开关和模拟控制电路,能够提供可靠的开关和放大性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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