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IRL8113-VB 产品详细

产品简介:

IRL8113-VB MOSFET 产品简介

IRL8113-VB 是一款高性能N沟道功率MOSFET,采用TO220封装,设计用于高电流和低电阻应用。该MOSFET具备30V的漏源电压(VDS)和±20V的栅源电压(VGS),能够承载高达120A的漏极电流。其卓越的导通电阻(RDS(ON)为4mΩ@VGS=4.5V和3mΩ@VGS=10V)使其在开关应用中具有极低的功耗和优异的热管理性能。利用Trench技术制造,IRL8113-VB能够提供高效的开关特性和可靠的电流处理能力,非常适合高性能电源管理和电力转换应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 120A 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 120A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 120A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
详细参数说明

- **封装类型**: TO220
- **通道配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 4mΩ @ VGS=4.5V
- 3mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 120A
- **技术类型**: Trench技术
- **最大功耗**: 具体功耗取决于散热条件,设计时应考虑适当的散热措施。
- **工作温度范围**: -55°C 至 175°C

领域和模块应用:

应用领域及模块

1. **高效电源转换**: IRL8113-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于DC-DC转换器、AC-DC电源以及其他电源管理模块。在这些应用中,MOSFET能够有效减少功率损耗,提升能量转换效率。

2. **电机驱动**: 由于其高电流处理能力,这款MOSFET可以广泛应用于电机驱动系统中,如工业电机驱动和电动汽车电机控制。它的低导通电阻有助于提高电机驱动系统的能效和可靠性。

3. **电池管理系统**: 在电池管理和充电控制系统中,IRL8113-VB 能够处理大电流并提供高效的开关性能,确保电池充电和放电过程中的电能管理稳定。

4. **LED驱动电路**: 在高功率LED驱动应用中,IRL8113-VB 可以作为开关元件用于控制LED的亮度和开关,保证系统的高效运行和稳定性。

5. **功率放大器**: 在音频功率放大器和射频功率放大器中,该MOSFET可以用于高效的开关和放大过程,提升功率放大器的性能和稳定性。

这些应用领域表明,IRL8113-VB 是高电流、高效能电源和开关应用的理想选择,能够满足各种高要求的电力管理和控制需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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