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IRL640PBF-VB 产品详细

产品简介:

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IRL640PBF-VB 是一款 TO-220 封装的单级 N 沟道 MOSFET,专为高压应用中的高效开关设计。它具有最大漏极-源极电压 (VDS) 为 200V,并能够承受连续漏极电流 (ID) 达到 30A。其栅极-源极电压 (VGS) 为 ±20V,阈值电压 (Vth) 为 3V,10V 栅极电压下的导通电阻 (RDS(ON)) 为 110mΩ。这些特点使其在要求可靠电源控制的系统中表现优异。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 30A 110mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 30A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 30A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N
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- **型号:** IRL640PBF-VB
- **封装类型:** TO-220
- **通道配置:** 单级 N 沟道
- **漏极-源极电压 (VDS):** 200V
- **栅极-源极电压 (VGS):** ±20V
- **阈值电压 (Vth):** 3V
- **导通电阻 (RDS(ON)):** 110mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID):** 30A
- **技术:** Trench

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领域和模块应用:

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1. **电源供应:**
IRL640PBF-VB 常用于开关电源(SMPS)中,由于其高效开关高压的能力,该 MOSFET 能在工业和消费应用中实现高效率的电源转换模块。其 Trench 技术保证了低导通损耗,非常适合高效电源转换应用。

2. **电机驱动:**
在电机控制电路中,200V 的额定电压和 30A 的电流能力允许 MOSFET 控制中功率 DC 电机。它常用于电动汽车、机器人和工业自动化中需要可靠、高功率开关的场合。

3. **逆变器和 DC-DC 转换器:**
该器件非常适合用于逆变器和 DC-DC 转换器模块。其低 RDS(ON) 帮助减少热量生成和能量损失,是可再生能源系统(如太阳能逆变器和电池充电器)中高频开关应用的理想选择。

4. **音频放大器:**
IRL640PBF-VB MOSFET 可用于 D 类音频放大器,其提供快速开关和低失真,有助于高性能音频设备的运行。该器件能够处理更高的电压和电流,有助于家庭和汽车音响系统中放大器的高效运行。

通过利用 IRL640PBF-VB 的高电压能力、高效开关和良好的热性能,工程师可以在各种电子系统中设计优化的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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